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Controle de crescimento da estrutura dependente da síntese de nanofios via em película formação de nanofios (OFF-ON) Universidade Federal do Amazonas Faculdade.

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1 Controle de crescimento da estrutura dependente da síntese de nanofios via em película formação de nanofios (OFF-ON) Universidade Federal do Amazonas Faculdade de Tecnologia Bacharelado em Engenharia de Materiais Acadêmico: Emerson Gama Professor: Dr. Lucas Berti Manaus- Am Março Método de OFF-ON (Filme para formação do Nanofio)

2 FT - EngMat Emerson Gama Sistema de Pulverização Catódica (sputtering) Recozimento (260 ~270 °C) Colocando o filme de Bi sob tensão de compressão Diferentes Coeficientes de expansão térmica Crescimento Espontâneo dos Nanofios Devido o Relaxamento da tensões compressivas Resfriamento Método de OFF-ON

3 FT - EngMat Emerson Gama 1.Combinação da deposição de filmes finos e simples com formação nanofios altamente cristalinos. 2.Não há necessidade de usar catalisadores, evitando assim a contaminação 3.Ferramenta única e altamente desejável para o cultivo de nanofios livre de defeitos e composta de um material de interesse. 4.Ampliação do método para uma grande variedade de materiais e estruturas Método de OFF-ON Vantagens Desvantagem Para obter bom rendimento do nanofio precisa-se programar e combinar os parâmetros.

4 FT - EngMat Emerson Gama Parâmetro e Limitações Taxa de Deposição Área do Filme e distribuição da tensão no momento Alivio Incompatibilidade de expansão térmica 2,7 Â / s32,7 Â / s Áreas dos filmes: (10 4 µm) 2, (10 3 µm) 2, (10 2 µm) 2, e (10 µm) 2 1.Bi (13,4 × / ° C) 2.SiO 2 (0,5 × / ° C) 3.Si (2,4 × / ° C)

5 FT - EngMat Emerson Gama Referências Bibliográficas Shim W, Ham J, Lee K, Jeung WY, Johnson M, Lee W: On-Film Formation of Bi Nanowires with Extraordinary Electron Mobility. Nano Lett 2009, 9(1):18. Zhang ZB, Gekhtman D, Dresslhaus MS, Ying JY: Processing and characterization of single-crystalline ultrafine bismuth nanowires. Chem Mater 1999, 11:1659.


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