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Tempos de vida, mobilidade, defeitos:
Tópicos Especiais de Física Atômica e Molecular e Ótica A interação de íons energéticos com a matéria: aspectos básicos e aplicações Tempos de vida, mobilidade, defeitos: medidas de transientes de voltagem, corrente e capacitância (Parte 1) Prof. Marcelo M. Sant’Anna Aula 8
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Motivação
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Algumas animações para introduzir o tempo
Transiente em uma junção p-n Outra animação sobre a junção pn Mais uma célula solar (atenção para os buracos) Uma animação mais geral
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Tempo de vida dos portadores
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Geração e recombinação
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Mecanismos de recombinação
Shockley-Read-Hall Vejamos também:
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Modelagem para um semicondutor tipo-p:
Recombinação dos elétrons (portadores minoritários) A taxa de recombinação R expandida até termos cúbicos nas densidades com São densidades no equilíbrio São excessos nas densidades de portadores Na ausência de trapping: (lembrar ainda que )
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Modelagem para um semicondutor tipo-p:
Recombinação dos elétrons (portadores minoritários) Definimos o tempo de vida de recombinação
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Modelagem para um semicondutor tipo-p:
Recombinação dos elétrons (portadores minoritários) e
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Modelagem para um semicondutor tipo-p:
Recombinação dos elétrons (portadores minoritários) com
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Modelagem para um semicondutor tipo-p:
Recombinação dos elétrons (portadores minoritários)
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Modelagem para um semicondutor tipo-p:
Recombinação dos elétrons (portadores minoritários) Simplificações para “low-level injection” e para “high-level injection” (O nível de injeção é importante durante medidas de tempo de vida de portadores)
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Um exemplo
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Tempo de vida de recombinação
Um exemplo de técnica de medida elétrica: “Open-circuit voltage decay (OCVD)”
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Open-circuit voltage decay (OCVD)
Dnp é o excesso de densidade de portadores de carga na região quase-neutra na borda da scr. Vj é a voltagem na junção. Vd ~ Vj é a voltagem no diodo (uma medida de Vj(t) é uma medida da dependência temporal do excesso de Dnp)
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Open-circuit voltage decay (OCVD)
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