Oficina de Microfabricação: Projeto e Construção de CI´s MOS

Apresentação em tema: "Oficina de Microfabricação: Projeto e Construção de CI´s MOS"— Transcrição da apresentação:

1 Oficina de Microfabricação: Projeto e Construção de CI´s MOS

2 Temas Seminários: CAD Conceitos de Semicondutores
Teoria de Dispositivos Conceitos de Processos de Fabricação Projeto de Processo e Dispositivo Projeto de CI´s Microssistemas CAD Simulação de Processos e Dispositivos

3 Temas - cont. Laboratório de Fabricação
Etapas de Processos Integração de Processo nMOS e pMOS. Medidas de caracterização de processo Visitas a laboratórios: CCS, LPD e ITI Laboratório de Medidas Elétricas: Chip didático da U. de Edinburg Chip didático CCS fabricado.

4 Instrutures Seminários: Prof. Doi - CCS Prof. Jacobus - CCS
Dr. Diniz - CCS Dr. Stanislav - CCS Dr. Moreira - LSI/USP Eng Emílio Bortolucci - CCS Dr. Luiz Otávio - LNLS

5 Instrutores - cont. Laboratório de Fabricação Medidas Elétricas CAD
Prof. Doi Dr. Diniz Dra. Maria Beny Godoy Mara Regina Eudoxio Medidas Elétricas Dr. Diniz Dra. Maria Beny Rosana Leandro CAD Hugo Emílio Moreira

6 Apostila - Sumário . Evolução de Microeletrônica a Microssistemas
. Conceitos Básicos para Semicondutores . Semicondutores . Capacitor MOS . Transistor MOSFET . Escalamento e Limites dos Dispositivos MOS . Integração de Processos: CMOS em Si . Estruturas de Dispositivos Semicondutores . Plasma Etching . Deposição de Filmes Finos . Conceitos de Vácuo .Projeto de Processos e Dispositivos

7 Apostila - Sumário - cont.
.Microssistemas: Fabricação e Aplicações .Introdução à Tecnologia LIGA .Projeto de CI´s MOS. .Descrição do Processo MOS do CCS .Descrição do Chip Didático CCS2 .Descrição das Medidas dos Dispositivos .Elaboração de Relatório. .Enquête de Opinião.

8 Enquete de Opinião Dê uma nota de 0 a 10 em cada quadro abaixo. No item conteúdo, além da nota, acrescentar também um dos qualificativos: R (reduzido), A (apropriado) ou D (demasiado). Tema Instrutores Conteúdo Apresentação Rev. Semicondutores Jacobus Rev. MOS Diniz Modelo de oxidação Jacobus Integração processos Jacobus Difusão e implantaçãoJacobus Etching úmido e seco Stanislav Descrição SUPREM Emílio Descrição PISCES Emílioa Processos CVD Doi Cargas SiO2/Si Diniz Vácuo e Metalização Doi Projeto CI´s Moreira Programa Microeletr. Moreira Evolução de MicroeletJacobus Microssensores Luiz Ot’svio LIGA Luiz Otávio Lab. de Fabricação Vários Medidas físicas/proc. Mara LabSUPREM/PISCESHugo, Paula Lab. medidas CMOS Diniz, Beny Lab. medidas MOS Diniz, Beny Lab. projeto CI´s Moreira Visita ao LPD Beny e Stanislav Visita ao CTI Doi, outros Relatório Nota geral do curso Apresente comentários e sugestões: a) gerais sobre o curso, b) sobre os temas específicos.

9 Integração de Processos
A) Processo nMOS e pMOS CCS/UNICAMP

10 Lâminas: Orientação (100) tipo: resistividade: Limpeza RCA completa.
p para nMOS n para pMOS resistividade: 4 a 9 .cm para lâmina n 11 a 22 .cm para lâmina p Limpeza RCA completa.

11 Oxidação Inicial 1000 °C H2O + O2 3h Xox = 0.7 m

12 MOS Technology

13 Máscara CCS2

14 Máscara CCS2

15 Máscara CCS01

16 Sugestões e Avisos Não hesitem em fazer perguntas!
Cuidado nos laboratórios: produtos químicos gases equipamentos sofisticados. Aproveitem bem o curso.