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Oficina de Microfabricação: Projeto e Construção de CI´s MOS.

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Apresentação em tema: "Oficina de Microfabricação: Projeto e Construção de CI´s MOS."— Transcrição da apresentação:

1 Oficina de Microfabricação: Projeto e Construção de CI´s MOS

2 Temas Seminários: –Conceitos de Semicondutores –Teoria de Dispositivos –Conceitos de Processos de Fabricação –Projeto de Processo e Dispositivo –Projeto de CI´s –Microssistemas CAD –Simulação de Processos e Dispositivos –Projeto de CI´s

3 Temas - cont. Laboratório de Fabricação –Etapas de Processos –Integração de Processo nMOS e pMOS. –Medidas de caracterização de processo –Visitas a laboratórios: CCS, LPD e ITI Laboratório de Medidas Elétricas: –Chip didático da U. de Edinburg –Chip didático CCS fabricado.

4 Instrutures Seminários: –Prof. Doi - CCS –Prof. Jacobus - CCS –Dr. Diniz - CCS –Dr. Stanislav - CCS –Dr. Moreira - LSI/USP –Eng Emílio Bortolucci - CCS –Dr. Luiz Otávio - LNLS

5 Instrutores - cont. Laboratório de Fabricação –Prof. Doi –Dr. Diniz –Dra. Maria Beny –Godoy –Mara –Regina –Eudoxio Medidas Elétricas –Dr. Diniz –Dra. Maria Beny –Rosana –Leandro CAD –Hugo –Emílio –Moreira –Leandro

6 Apostila - Sumário. Evolução de Microeletrônica a Microssistemas. Conceitos Básicos para Semicondutores. Semicondutores. Capacitor MOS. Transistor MOSFET. Escalamento e Limites dos Dispositivos MOS. Integração de Processos: CMOS em Si. Estruturas de Dispositivos Semicondutores. Plasma Etching. Deposição de Filmes Finos. Conceitos de Vácuo. Projeto de Processos e Dispositivos

7 Apostila - Sumário - cont.. Microssistemas: Fabricação e Aplicações. Introdução à Tecnologia LIGA. Projeto de CI´s MOS.. Descrição do Processo MOS do CCS. Descrição do Chip Didático CCS2. Descrição das Medidas dos Dispositivos. Elaboração de Relatório.. Enquête de Opinião.

8 Enquete de Opinião Dê uma nota de 0 a 10 em cada quadro abaixo. No item conteúdo, além da nota, acrescentar também um dos qualificativos: R (reduzido), A (apropriado) ou D (demasiado). TemaInstrutoresConteúdoApresentação Rev. SemicondutoresJacobus Rev. MOSDiniz Modelo de oxidaçãoJacobus Integração processosJacobus Difusão e implantaçãoJacobus Etching úmido e secoStanislav Descrição SUPREMEmílio Descrição PISCESEmílioa Processos CVDDoi Cargas SiO 2 /SiDiniz Vácuo e MetalizaçãoDoi Projeto CI´sMoreira Programa Microeletr.Moreira Evolução de MicroeletJacobus MicrossensoresLuiz Otsvio LIGALuiz Otávio Lab. de FabricaçãoVários Medidas físicas/proc.Mara LabSUPREM/PISCESHugo, Paula Lab. medidas CMOSDiniz, Beny Lab. medidas MOSDiniz, Beny Lab. projeto CI´sMoreira Visita ao LPDBeny e Stanislav Visita ao CTIDoi, outros Relatório Nota geral do curso Apresente comentários e sugestões: a) gerais sobre o curso, b) sobre os temas específicos.

9 Integração de Processos A) Processo nMOS e pMOS CCS/UNICAMP

10 Lâminas: Orientação (100) tipo: – p para nMOS –n para pMOS resistividade: –4 a 9.cm para lâmina n –11 a 22.cm para lâmina p Limpeza RCA completa.

11 Oxidação Inicial 1000 °C H2O + O2 3h Xox = 0.7 m

12 MOS Technology

13 Máscara CCS2

14

15 Máscara CCS01

16 Sugestões e Avisos Não hesitem em fazer perguntas! Cuidado nos laboratórios: –produtos químicos –gases –equipamentos sofisticados. Aproveitem bem o curso.


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