A apresentação está carregando. Por favor, espere

A apresentação está carregando. Por favor, espere

IE726 – Processos de Filmes Finos Capítulo 7 – Filmes Finos Condutores Prof. Ioshiaki Doi FEEC-UNICAMP 05/04/2003.

Apresentações semelhantes


Apresentação em tema: "IE726 – Processos de Filmes Finos Capítulo 7 – Filmes Finos Condutores Prof. Ioshiaki Doi FEEC-UNICAMP 05/04/2003."— Transcrição da apresentação:

1 IE726 – Processos de Filmes Finos Capítulo 7 – Filmes Finos Condutores Prof. Ioshiaki Doi FEEC-UNICAMP 05/04/2003

2 MetalizaçãoMetalização Processos de deposição de filmes finos de metais sobre a superfície do wafer. Processos de deposição de filmes finos de metais sobre a superfície do wafer.

3 AplicaçõesAplicações Interconexão Interconexão Porta e eletrodos Porta e eletrodos

4 CMOS – Metalização PadrãoCMOS – Metalização Padrão Interconexão de Alumínio e plug de tungstênio

5 Aplicações – Interconexão 1Aplicações – Interconexão 1 SEM de um circuito mostrando contatos e interconexões. Hierarquia de interconexões.

6 Aplicações – Interconexões 2Aplicações – Interconexões 2 SEM de um circuito mostrando contatos e interconexões.

7 Aplicações – Interconexão 2Aplicações – Interconexão 2 Domina os processos de metalização Domina os processos de metalização Liga Al-Cu é o mais usado comumente Liga Al-Cu é o mais usado comumente Plug de W (tecnologia de 80 e 90) Plug de W (tecnologia de 80 e 90) Ti e TiN, camadas de barreira, adesão e ARC (anti-reflection coating) Ti e TiN, camadas de barreira, adesão e ARC (anti-reflection coating) Futuro?.... Cu! Futuro?.... Cu!

8 Metalização de CobreMetalização de Cobre

9 Aplicações – Porta e EletrodosAplicações – Porta e Eletrodos Porta de Al e eletrodo Porta de Al e eletrodo Silício policristalino substitui Al como material de porta Silício policristalino substitui Al como material de porta Silicetos: Silicetos: –WSi 2, TiSi 2, CoSi 2, MoSi 2, TaSi 2, NiSi,... Pt, Au,... como eletrodos para capacitores DRAM. Pt, Au,... como eletrodos para capacitores DRAM.

10 Filmes Finos CondutoresFilmes Finos Condutores Silício policristalino Silício policristalino Silicetos Silicetos Al e ligas de Al Al e ligas de Al Titânio e Nitreto de Titânio Titânio e Nitreto de Titânio Tungstênio Tungstênio Cobre Cobre Tântalo Tântalo

11 Requisitos para Filmes Metálicos 1Requisitos para Filmes Metálicos 1 Baixa resistividade Baixa resistividade –é essencial a redução da resistência do metal para baixo consumo de potência e circuitos rápidos. Baixa resistência de contato Baixa resistência de contato –com redução das dimensões dos CIs, a resistência de contato torna fração cada vez maior da resistência total. Resistência a eletromigração Resistência a eletromigração –efeitos da migração induzidos pela corrente piora com o decréscimo das dimensões do metal, por causa da alta densidade de corrente. Para obter Chips de alta confiabilidade.

12 Requisitos para Filmes Metálicos 2Requisitos para Filmes Metálicos 2 Superfície de baixa rugosidade Superfície de baixa rugosidade –para processo litográfico de alta resolução Baixo estresse Baixo estresse –Para boa adesão com o substrato Existência do processo de deposição. Existência do processo de deposição.

13 Requisitos para Filmes Metálicos 3Requisitos para Filmes Metálicos 3 Estabilidade durante todo o processamento: Estabilidade durante todo o processamento: –Oxidação, sinterização, deposição de filmes dielétricos subsequentes. Boa resistência a corrosão Boa resistência a corrosão Possibilidade de etching Possibilidade de etching –Formação de compostos voláteis durante a corrosão sêca Boa cobertura de degrau Boa cobertura de degrau –Para assegurar contato elétrico apropriado entre os níveis metálicos.

14 Exemplo de cobertura de degrau: WSi 2Exemplo de cobertura de degrau: WSi 2 Processo A Processo B

15 Requisitos de Filmes Metálicos: resistividade vs. espessuraRequisitos de Filmes Metálicos: resistividade vs. espessura Impurezas e contornos de grãos adicionam contribuições significativas para o espalhamento de eletrons.

16 Alumínio vs. CobreAlumínio vs. Cobre Cobre Cobre –resistividade mais baixa que o Alumínio. –Problemas de adesão, difusão e dificuldade para a corrosão sêca dificultou a aplicação do cobre nos CIs por muito tempo. Alumínio Alumínio –interconexão de Al dominou aplicações de metalização desde o início da indústria de semicondutores. –nos anos 60 e 70, interconexões de Al ou liga Al-Cu.

17 Alumínio vs. Cobre 2Alumínio vs. Cobre 2 Anos 80 Anos 80 –redução das dimensões uso de multi- camadas de interconexão. –c/aumento da densidade de dispositivos, contatos tipo tap largos tornou-se indesejável devido deixar a topografia da superfície bastante áspero. –dificuldade na litografia e deposição de outra camada de filme fino.

18 Alumínio vs. Cobre 3Alumínio vs. Cobre 3 - para aumentar a densidade de empacotamento, surgiu a necessidade de contatos e vias verticais. Muito estreito para preenchimento por liga de Al PVD sem buracos. - W tem sido usado para preenchimento de vias e contatos que serve como plug para conexão entre diferentes camadas de metais. Requer camada de adesão e barreira (Ti/TiN).

19 Silício PolicristalinoSilício Policristalino Portas e interconexão local Portas e interconexão local Substitui Al desde meio de 70 Substitui Al desde meio de 70 Estável a alta temperatura Estável a alta temperatura Permite S/D auto-alinhado Permite S/D auto-alinhado Porta de Al não permite formar S/D auto-alinhado Porta de Al não permite formar S/D auto-alinhado Pode ser altamente dopado Pode ser altamente dopado LPCVD LPCVD

20 S/D Auto-AlinhadoS/D Auto-Alinhado Desalinhamento de Porta Alinhado Desalinhado A porta era superdimensionada para assegurar cobertura completa da porta sobre as regiões de fonte e dreno.

21 S/D Auto-Alinhado 2S/D Auto-Alinhado 2 S/D auto alinhado com porta de si-poli. Porta de Al não permite S/D auto-alinhado. Não suporta recozimento pos-ímplantação de ºC.

22 SilicetosSilicetos Resistividade mais baixo que o Si- poli Resistividade mais baixo que o Si- poli TiSi 2, WSi 2 e CoSi 2 mais comumente usado. TiSi 2, WSi 2 e CoSi 2 mais comumente usado.

23 SalicideSalicide TiSi 2 e CoSi 2 TiSi 2 e CoSi 2 –Sputtering de Ar remove óxido nativo –Deposição de Ti ou Co –Processo de recozimento para formar o siliceto –Ti ou Co não reage com SiO 2. O siliceto é formado onde o silício tem contato com Ti ou Co –Remoção de Ti ou Co não reagido –Segundo recozimento opcional para aumentar a condutividade Salicide: self-aligned silicide

24 Formação de Siliceto de Titânio Auto-AlinhadoFormação de Siliceto de Titânio Auto-Alinhado Deposição de Ti Recozimento para Silicetação Remoção de Ti

25 Siliceto de TungstênioSiliceto de Tungstênio Processo CVD Processo CVD –WF 6 como precursor de tungstênio –SiH 4 como precursor de silício.

26 AlumínioAlumínio Metal mais comumente usado Metal mais comumente usado Quarto metal de melhor condutividade Quarto metal de melhor condutividade Prata1.6 -cm Prata1.6 -cm Cobre1.7 -cm Cobre1.7 -cm Ouro2.2 -cm Ouro2.2 -cm Alumínio2.7 -cm Alumínio2.7 -cm Foi usado como material de porta até meio de 70. Foi usado como material de porta até meio de 70.

27 Liga Alumínio-Silício (Al-Si)Liga Alumínio-Silício (Al-Si) Al faz contato direto com Si em fonte/dreno (S/D) Al faz contato direto com Si em fonte/dreno (S/D) Si dissolve no Al e Al difunde no Si. Si dissolve no Al e Al difunde no Si.

28 Junction SpikeJunction Spike Spike de Al perfura a junção dopada Curto de S/D com o substrato.

29 Solução para Junction SpikeSolução para Junction Spike 1% de Si em Al satura o filme 1% de Si em Al satura o filme Recozimento térmico a 400 ºC forma a liga Si-Al na interface silício- alumínio. Recozimento térmico a 400 ºC forma a liga Si-Al na interface silício- alumínio. Uso de barreira para prevenir que Al remova Si do siliceto ou do substrato. Uso de barreira para prevenir que Al remova Si do siliceto ou do substrato. Uma barreira típica é 30 nm. Uma barreira típica é 30 nm.

30 Exemplo de Junction SpikeExemplo de Junction Spike Interpenetração de Al/Si. Al deposição por e-beam. Recozimento em H 2 a 450 ºC por 30 minutos e alumínio removido. SEM da região central do contado. (a) contato típico que foi recoberta com Al. Observa-se partículas recristalizadas de Si dispersas aleatóriamente sobre o wafer. Em (b) e © pequenas estruturas e precipitados de Si.

31 Eletromigração 1Eletromigração 1 Alumínio é um material policristalino Alumínio é um material policristalino Muitos grãos mono-cristalinos Muitos grãos mono-cristalinos Corrente flui através da linha de Al Corrente flui através da linha de Al Eletrons bombardeiam constantemente os grãos Eletrons bombardeiam constantemente os grãos Grãos menores iniciam a se mover Grãos menores iniciam a se mover O efeito é chamado de eletromigração. O efeito é chamado de eletromigração.

32 Processo de EletromigraçãoProcesso de Eletromigração Eletromigração pode causar sérios problemas para linhas de alumínio.

33 Eletromigração 2Eletromigração 2 Eletromigração divide a linha de metal em partes Eletromigração divide a linha de metal em partes A alta densidade de corrente que permanece na linha: A alta densidade de corrente que permanece na linha: –Agrava o bombardeamento de eletrons –Causa migrações adicionais de grãos de Al –Por fim pode quebrar a linha metálica. Afeta a confiabilidade do chip de CI. Afeta a confiabilidade do chip de CI.

34 Exemplo de EletromigraçãoExemplo de Eletromigração SEM de falhas de eletromigração nas linhas de Al. Liga Al-Cu(0.5%) depositado por magnetron sputering (a) e por evaporação (b).

35 Eletromigração - PrevençãoEletromigração - Prevenção Alguns % de Cu no Al, melhora a resistência a eletromigração do Al Alguns % de Cu no Al, melhora a resistência a eletromigração do Al Cu atua como aderente dos grãos de Al e previne da migração devida ao bombardeamento de eletrons Cu atua como aderente dos grãos de Al e previne da migração devida ao bombardeamento de eletrons É usado a liga Al-Si-Cu É usado a liga Al-Si-Cu Al-Cu(0.5%) é bastante comum. Al-Cu(0.5%) é bastante comum. Uso de camadas shunt (Ti, TiN, TiW). Uso de camadas shunt (Ti, TiN, TiW). para prover shunting elétrico e para melhorar a estrutura de Al. para prover shunting elétrico e para melhorar a estrutura de Al.

36 Hillocks e Voids Hillocks e buracos (voids) são formados por causa do estresse e difusão nos filmes de Al. Aquecimento é realizado sob Al em compressão causa hillocks. O aquecimento gera no Al um estresse altamente compressivo, devido a tendência do Al de se expandir mais do que o Si. Para aliviar o stress, a porção do Al espremido, forma pequenas colinas (hills) ou hillocks. O resfriamento é realizado sob o Al em estado tensivo forma buracos. O Al procura encolher-se mais do que o Si. O hillock formado não é reversível. Si é mais rígido que o Al. O stress é aliviado pelo movimento de vacâncias e aglomeração no Al, formando os buracos.

37 Material Thermal Expansion Coefficient ( C -1 ) Elastic Modulus, Y/(1- ) (MPa) Hardness (kg-mm -2 ) Melting Point ( C) Al (111) Ti TiAl 3 Si (100) Si (111) SiO x x x x x x x x x x Propriedades Mecânicas de Materiais de Interconexão

38 Formação de hillocks A formação de hillocks pode causar: Curto entre níveis de interconexão; Topografia da superfície rugosa. Dificulta litografia e etching.

39 Adição de alguns at% de Cu estabiliza contornos de grãos e minimiza a formação de hillocks. A eletromigração também pode causar hillocks e voids na interconexão de alumínio. Pode causar hillocks e voids e levar a um curto ou abrir circuitos. Eletromigração vs. Hillocks e Voids

40 Os eletrons podem transferir quantidade suficiente de momentum para o Al e causar a sua difusão. A difusão é mais rápida nos contornos de grãos, causando o acúmulo de Al em algumas regiões, resultando em hillocks, e depleção em outras regiões, levando a formação de buracos. Hillock e voids formados por eletromigração. Eletromigração vs. Hillocks e Voids 2

41 Como a maioria dos átomos de Al e vacâncias difunde pelos contornos de grãos, a eletromigração é fortemente dependente da estrutura do grão, incluindo o tamanho e a orientação cristalográfica, além das camadas de cima e de baixo do Al, e da história de processamento da interconexão. Solução : Adicionar Cu (0.5-4 wt%) pode inibir a eletromigração. Acredita-se que o Cu inibe a difusão pelos contornos de grãos. Contudo Cu em excesso pode causar problemas com etching e corrosão da interconexão. Máximo 4 wt%. Razão pela qual o Al é normalmente depositado com 1-2 wt% de Si e wt% de Cu. A adição desses elementos aumenta a resistividade de folha da interconexão de aproximadamente 35%.

42 Eletromigração de ContatoEletromigração de Contato (a)Cobertura de degrau pobre do Al pode causar alta densidade de corrente e aquecimento Joule. (b)contato plug Al/W causa buraco no canto da interface Al/plug. (c)vários caminhos de corrente oferecem diferentes resistências e a corrente tende a tomar o caminho menos resistivo, isto é, canto interno. As corrente concentram no canto interno do plug e linha de Al adjacente. (d) com a camada de TiN, a concentração de corrente no canto interno pode ser reduzido, devido a alta resistência do TiN auxiliar na distribuição da corrente para maior área da linha de Al.

43 Deposição da Liga de AlDeposição da Liga de Al PVD PVD –Sputtering –Evaporação térmico térmico e-beam e-beam CVD CVD –Hidreto dimetilalumínio [DMAH, Al(CH 3 ) 2 H] –Processo térmico

44 PVD vs. CVD 1PVD vs. CVD 1 CVD: reação química sobre a superfície CVD: reação química sobre a superfície PVD: não há reação química sobre a superfície. PVD: não há reação química sobre a superfície. CVD: melhor cobertura de degrau (50% a 100%) e capacidade de preenchimento de gaps e vias CVD: melhor cobertura de degrau (50% a 100%) e capacidade de preenchimento de gaps e vias PVD: cobertura de degrau pobre ( 15%) e capacidade de preenchimento de gaps e vias. PVD: cobertura de degrau pobre ( 15%) e capacidade de preenchimento de gaps e vias.

45 PVD vs. CVD 2PVD vs. CVD 2 PVD: melhor qualidade, filme depositado mais puro, condutividade mais alta, fácil para depositar ligas. PVD: melhor qualidade, filme depositado mais puro, condutividade mais alta, fácil para depositar ligas. CVD: sempre contém impurezas no filme, condutividade mais baixa, difícil para depositar ligas. CVD: sempre contém impurezas no filme, condutividade mais baixa, difícil para depositar ligas.

46 TitânioTitânio Aplicações Aplicações Formação de silicetos Formação de silicetos Camadas de adesão, contatos e vias (precisa de barreira TiN). Camadas de adesão, contatos e vias (precisa de barreira TiN). Boa adesão a outros materiais, habilidade para redução de óxidos nativos e boa propriedade elétrica de contato. Boa adesão a outros materiais, habilidade para redução de óxidos nativos e boa propriedade elétrica de contato. Deposição por PVD. Magnetron sputering mais usual. Ou por sputering colimado ou ionizado para boa cobertura de contato ou fundos de vias. Deposição por PVD. Magnetron sputering mais usual. Ou por sputering colimado ou ionizado para boa cobertura de contato ou fundos de vias. Nitretação de titânio. Nitretação de titânio.

47 Aplicações do TitânioAplicações do Titânio

48 Aplicações do Nitreto de TitânioAplicações do Nitreto de Titânio Camada de barreira Camada de barreira –Previne difusão de tungstênio Camada de adesão Camada de adesão –Auxilia na adesão do tungstênio sobre a superfície do óxido de silício Cobertura anti-reflexão (ARC) Cobertura anti-reflexão (ARC) –Reduz reflexão e melhora resolução da fotoligrafia no processo com metais –Previne hillock e controla eletromigração Interconexão local: dimensões curtas. Interconexão local: dimensões curtas. Deposição por PVD e CVD. Deposição por PVD e CVD.

49 Deposição do TiNDeposição do TiN Deposição sobre Ti que possui melhor propriedade de contato e de adesão. Deposição sobre Ti que possui melhor propriedade de contato e de adesão. Deposição por PVD sputtering usando gás reativo (N 2 ). Deposição por PVD sputtering usando gás reativo (N 2 ).

50 Nitreto de Titânio PVD Nitreto de Titânio PVD Camada de barreira, adesão e ARC Camada de barreira, adesão e ARC Sputtering reativo de alvo de Ti com Ar e N 2 Sputtering reativo de alvo de Ti com Ar e N 2 –Moléculas de N 2 dissocia no plasma –Radicais livres de nitrogênio (N) –N reage com Ti e forma camada de TiN sobre a superfície de Ti –Ions de Ar sputter TiN e deposita sobre a superfície do wafer.

51 Nitreto de Titânio CVDNitreto de Titânio CVD Camada de barreira e adesão Camada de barreira e adesão Melhor cobertura de degrau do que PVD Melhor cobertura de degrau do que PVD Processo organo-metálico (MOCVD) Processo organo-metálico (MOCVD) – 350 ºC –Tetrakis-dimethyamino Titanium (TDMAT), Ti[N(CH 3 ) 2 ] 4 –Tetrakis-diethyamino Titanium (TDEAT). –Aplicação em vias.

52 Nitretação de TitânioNitretação de Titânio Titânio PVD Titânio PVD Nitretação da superfície de titânio com Nitrogênio ou Amônia Nitretação da superfície de titânio com Nitrogênio ou Amônia Processo térmico rápido (RTP) a T > 600 ºC. Processo térmico rápido (RTP) a T > 600 ºC. Frequentemente feito juntamente com a formação de siliceto. Frequentemente feito juntamente com a formação de siliceto. Forma TiSi 2 na camada mais inferior, Ti na camada do meio e o TiN no topo de Ti. Forma TiSi 2 na camada mais inferior, Ti na camada do meio e o TiN no topo de Ti.

53 Nitretação de Titânio 2Nitretação de Titânio 2 NH 3 + Ti TiN + 3/2 H 2

54 Ligas de Ti-WLigas de Ti-W Material de barreira para contatos e camadas ARC em interconexões. Material de barreira para contatos e camadas ARC em interconexões. TiN é mais usado atualmente. Melhor qualidade do filme e propriedades de barreira. TiN é mais usado atualmente. Melhor qualidade do filme e propriedades de barreira. Deposição por PVD, magnetron sputtering a partir de alvo 10% wt Ti – 90% wt W em ambiente de Ar/N 2. Deposição por PVD, magnetron sputtering a partir de alvo 10% wt Ti – 90% wt W em ambiente de Ar/N 2. Resistividade, estresse, composição e propriedades de barreira dependem das condições de deposição (pressão, temperatura e taxa Ar/N 2 ). Resistividade, estresse, composição e propriedades de barreira dependem das condições de deposição (pressão, temperatura e taxa Ar/N 2 ).

55 TungstênioTungstênio Plug de metal em contato e vias Plug de metal em contato e vias Aberturas para contato tornam menores e estreitos Aberturas para contato tornam menores e estreitos Liga de Al PVD: cobertura de degrau pobre e com buracos Liga de Al PVD: cobertura de degrau pobre e com buracos W CVD: excelente cobertura de degrau e prenchimento de vias W CVD: excelente cobertura de degrau e prenchimento de vias Resistividade alta: 8.0 a 12 -cm comparada a liga de Al PVD (2.9 a cm) Resistividade alta: 8.0 a 12 -cm comparada a liga de Al PVD (2.9 a cm) Usado somente para plugs e interconexão local. Usado somente para plugs e interconexão local.

56 Evolução dos Processos de ContatosEvolução dos Processos de Contatos Abertura de contato largo em tap, preenchimento metal PVD. Abertura de contato estreito, buraco com preenchimento metal PVD. Abertura de contato estreito, W CVD para plug de tungstênio.

57 Tungstênio CVDTungstênio CVD WF 6 como precursor de tungstênio WF 6 como precursor de tungstênio Reage com SiH 4 para formar camada de nucleação Reage com SiH 4 para formar camada de nucleação Reage com H 2 para deposição bulk de tungstênio Reage com H 2 para deposição bulk de tungstênio Precisa de camada de TiN para adesão sobre óxido de silício. Precisa de camada de TiN para adesão sobre óxido de silício.

58 Plug de W e Camada de Barreira /Adesão de TiN/TiPlug de W e Camada de Barreira /Adesão de TiN/Ti

59 CobreCobre Baixa resistividade (1.7 -cm) Baixa resistividade (1.7 -cm) –baixo consumo de potência e velocidade mais alta do CI Alta resistência a eletromigração Alta resistência a eletromigração –melhor confiabilidade Aderência pobre com óxido de silício Aderência pobre com óxido de silício Alta difusão contaminação de metal pesado Alta difusão contaminação de metal pesado Corrosão a sêco bastante difícil Corrosão a sêco bastante difícil –Cobre-halogênio apresenta baixa volatilidade.

60 Deposição de CobreDeposição de Cobre Camada semente (seed layer) de PVD Camada semente (seed layer) de PVD Camada bulk, ECP (electrochemical plating) ou CVD Camada bulk, ECP (electrochemical plating) ou CVD Recozimento térmico após deposição bulk de cobre: Recozimento térmico após deposição bulk de cobre: –aumenta o tamanho de grãos –melhora a condutividade.

61 TântaloTântalo Camada de barreira Camada de barreira Prevenir difusão de cobre Prevenir difusão de cobre Deposição por sputtering. Deposição por sputtering.

62 CobaltoCobalto Usado principalmente para siliceto de cobalto (CoSi 2 ) Usado principalmente para siliceto de cobalto (CoSi 2 ) Normalmente depositado por sputtering. Normalmente depositado por sputtering.

63 Siliceto de CobaltoSiliceto de Cobalto Tamanho de grãos do siliceto de titânio (TiSi 2 ): 0.2 m Tamanho de grãos do siliceto de titânio (TiSi 2 ): 0.2 m Não pode ser usado para porta de 0.18 m Não pode ser usado para porta de 0.18 m CoSi 2 substitui o TiSi 2 em tecnologias futuras CoSi 2 substitui o TiSi 2 em tecnologias futuras Resistividade: 13 -cm Resistividade: 13 -cm Processo salicide. Processo salicide.

64 Siliceto de Cobalto - ProcessoSiliceto de Cobalto - Processo Limpeza pré-deposição por sputtering de Ar Limpeza pré-deposição por sputtering de Ar Deposição de Co por sputtering Deposição de Co por sputtering Primeira etapa de recozimento por RTP a 600 ºC Primeira etapa de recozimento por RTP a 600 ºC –Co + Si CoSi Remoção do Co não reagido Remoção do Co não reagido Segunda etapa de RTP a 700 ºC Segunda etapa de RTP a 700 ºC –Co + Si CoSi 2

65 ResumoResumo Aplicação principal: interconexão Aplicação principal: interconexão CVD (W, Ti e TiN) e PVD (Al-Cu, Ti, TiN) CVD (W, Ti e TiN) e PVD (Al-Cu, Ti, TiN) Liga Al-Cu é ainda dominante Liga Al-Cu é ainda dominante Precisa UHV para PVD de Al-Cu Precisa UHV para PVD de Al-Cu W usado como plug W usado como plug TiN: camada de barreira, adesão e ARC TiN: camada de barreira, adesão e ARC Futuro: Cu e Ta/TaN. Futuro: Cu e Ta/TaN.

66 1. S. Wolf and R. N. Tauber; Silicon Processing for the VLSI Era, Vol.1 – Process Technology, Lattice Press, J. D. Plummer, M. D. Deal and P. B. Griffin; Silicon VLSI Technology – Fundamentals, Practice and Modeling, Prentice Hall, S. A. Campbell; The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication, Oxford University Press, S. M. Sze; VLSI Technology, McGraw-Hill, Referências :


Carregar ppt "IE726 – Processos de Filmes Finos Capítulo 7 – Filmes Finos Condutores Prof. Ioshiaki Doi FEEC-UNICAMP 05/04/2003."

Apresentações semelhantes


Anúncios Google