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Modelos MOSFET Jacobus W. Swart. Potencial de Fermi e concentrações n e p -n-n p.

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Apresentação em tema: "Modelos MOSFET Jacobus W. Swart. Potencial de Fermi e concentrações n e p -n-n p."— Transcrição da apresentação:

1 Modelos MOSFET Jacobus W. Swart

2 Potencial de Fermi e concentrações n e p -n-n p

3

4

5

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7

8 V T – Tensão de Limiar Clássica

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11 Diodo Controlado por Porta ou MOS de 3 Terminais:

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14

15

16 Modelos I-V

17 Modelo de Lei Quadrática, Shichman e Hodges ou SPICE Nível 1

18

19

20 Variação de V(y)

21 Saturação:

22 Modelo de Carga de Corpo, Ihantola e Moll ou SPICE nível 2.

23

24 Corrente Sub-Limiar

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26 Efeitos Secundários Importantes: a) Variação da Mobilidade

27 b) Efeito de Polarização de Substrato Medir V T para várias polarizações de V SB Importante para transistores em série!

28 c) Modulação do Comprimento Efetivo de Canal

29 d) Efeito de Temperatura

30 e) Isolação entre MOSFETs em Circuitos Integrados

31 f) Manipulação Destrutiva de MOSFETs BE ox ~ 2E7 V/cm Portanto: t = 2 nm BV ~ 20 V Temos também: Q V Necessitamos circuitos de proteção

32 Tipos de MOSFETs

33 Símbolos de MOSFETs

34 Capacitâncias p/ ac e transitórios:

35 Capacitâncias Intrínsecas

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37 Capacitâncias Parasitárias: a) sobreposição de porta sobre fonte e dreno L S = L D = difusão lateral de fonte e dreno

38 b) Sobreposição de porta sobre região de campo

39 c) Junções de fonte e dreno: de fundo e de perímetro A = área da junção C = cap./unid.área M = coef. graduação


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