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Integração de Processo de Microeletrônica Exemplo: processo nMOS com: - porta Si-poli - isolação LOCOS.

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Apresentação em tema: "Integração de Processo de Microeletrônica Exemplo: processo nMOS com: - porta Si-poli - isolação LOCOS."— Transcrição da apresentação:

1 Integração de Processo de Microeletrônica Exemplo: processo nMOS com: - porta Si-poli - isolação LOCOS

2 Litografia: de máscara à gravação

3 Deposição de camada de Si 3 N 4 por CVD Ex.: SiH 4 + N 2

4 Aplicação e espalhamento de fotorresiste Spinner

5 Alinhamento da Máscara e Exposição

6 Revelação do Fotorresiste

7 Corrosão do Si 3 N 4 por plasma reativo

8 Remoção do fotorresiste por dissolução em acetona

9 Oxidação do Si em Forno Térmico Ex.: 1000 °C em O 2 + H 2 O

10 Corrosão da camada de Si 3 N 4 em H 3 PO 4

11 Oxidação do Si em Forno Térmico Óxido Fino de 2 a 50 nm Ex. 900 °C em O 2

12 Deposição de camada de Si-poli por CVD Ex. 650 °C em SiH 4

13 Fotolitografia e corrosão da camada de Si-poli por plasma reativo

14 Formação de Fonte/Dreno por Implantação de Íons Ex.: íons de fósforo a 50 keV, /cm 2

15 Deposição de camada de SiO 2 por PECVD Ex.: a 400 °C em SiH 4 + N 2 O

16 Fotolitografia e corrosão da camada de SiO 2 por plasma reativo

17 Deposição de camada de Alumínio por evaporação térmica ou por sputtering.

18 Fotolitografia e corrosão da camada de Alumínio por plasma reativo

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