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Aula-11 DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES.

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1 Aula-11 DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

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5 Uma dimensão (x) Separação p-n abrupta Na – Nd x < 0 x > 0 Na – Nd x Na – Nd constante Potencial de Contato Energia E = -eΦ Ecp – Ecn = -e(Φp – Φn) = eV0 Limite da barreira

6 Nas regiões afastadas da junção as concentrações são:
No lado p buracos são majoritários No lado n elétrons são majoritários Usando a lei de ação das massas

7 Então Lembrando que onde

8 Ex: Considere uma junção p-n(Si) tendo concentrações de impureza Nd = 1016cm-3
e Na = 1018cm-3. Qual é o potencial de contato da junção em T=300K ? Dados: KT=0,026 eV Nc=2,6x1019 cm-3 Nv=1,02x1019 cm-3 O máximo para o Ge é 0,68 V para o Si é 1,12 V

9 Carga e Campo na Junção de Equilíbrio
lado n espessura ln Em primeira aproximação lado p espessura lp + + - - - -lp -ln x Como a carga total deve ser nula, pois a junção é eletricamente neutra

10 usando (só em x) sendo: em 0 < x < ln em -lp < x < 0 teremos: onde é o valor do campo em x=0 Como Para a região 0 < x < ln temos:

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12 A partir do campo elétrico, podemos obter a variação do potencial Φ(x)
A constante C depende da escolha do referencial. Tomamos Substituindo em (1) teremos: De forma análoga para Φ(x) em x ≥ 0 x Φ(x)


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