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Aula-11 DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES. Uma dimensão (x) Separação p-n abrupta N a – N d x < 0 x > 0 N a – N d constante Na – Nd x Energia E = -eΦ

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Apresentação em tema: "Aula-11 DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES. Uma dimensão (x) Separação p-n abrupta N a – N d x < 0 x > 0 N a – N d constante Na – Nd x Energia E = -eΦ"— Transcrição da apresentação:

1 Aula-11 DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

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5 Uma dimensão (x) Separação p-n abrupta N a – N d x < 0 x > 0 N a – N d constante Na – Nd x Energia E = -eΦ E cp – E cn = -e(Φ p – Φ n ) = eV 0 Limite da barreira Potencial de Contato

6 Nas regiões afastadas da junção as concentrações são: No lado p buracos são majoritários No lado n elétrons são majoritários Usando a lei de ação das massas

7 Então Lembrando que onde

8 Ex: Considere uma junção p-n(Si) tendo concentrações de impureza N d = cm -3 e N a = cm -3. Qual é o potencial de contato da junção em T=300K ? Dados: KT=0,026 eV N c =2,6x10 19 cm -3 N v =1,02x10 19 cm -3 O máximo para o Ge é 0,68 V para o Si é 1,12 V

9 Carga e Campo na Junção de Equilíbrio lado n espessura l n l p -l n x Em primeira aproximação lado p espessura l p Como a carga total deve ser nula, pois a junção é eletricamente neutra

10 usando (só em x) sendo: em 0 < x < l n em -l p < x < 0 teremos: ondeé o valor do campo em x=0 Como Para a região 0 < x < ln temos:

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12 A partir do campo elétrico, podemos obter a variação do potencial Φ(x) A constante C depende da escolha do referencial. Tomamos Substituindo em (1) teremos: De forma análoga para Φ(x) em x 0 x Φ(x)


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