PROCESSOS COMPETITIVOS NA RECOMBINAÇÃO ÓPTICA DE PONTOS QUÂNTICOS AUTO-ORGANIZADOS DE InAs/GaAs CRESCIDOS EM CAMADAS EMPILHADAS HETEROGÊNEAS ALUNO: DANILO.

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1 PROCESSOS COMPETITIVOS NA RECOMBINAÇÃO ÓPTICA DE PONTOS QUÂNTICOS AUTO-ORGANIZADOS DE InAs/GaAs CRESCIDOS EM CAMADAS EMPILHADAS HETEROGÊNEAS ALUNO: DANILO ROBERTO RATKOVSKIBolsista/Fundação Araucária ORIENTADOR: CELSO DE ARAUJO DUARTE [1]H. Zhang, C.-X. Liu, X.-L. Qi, X. Dai, Z. Fang, S.-C. Zhang, Nature Physics 5, (2009) 438 - 442 [2]H. Scherrer, S. Scherrer, Handbook of Thermoelectrics (ed. D.M. Rowe, CRC Press, New York, 1994) [3] M. Buskühl. Ernst-Heiner Korte, ***, *** (2002) ***. [4] K. Jayachandran, Ph.D. Thesis, Kerala, 1997 [5] V Das and M S Jagadeesh, Mater Res. Bull. 16 (1981) 1547 Introdução e objetivos Interrompeu-se o estudo de pontos quânticos dado a dificuldades experimentais. Iniciou-se o estudo de filmes de Bi e Mn. O Bi apresenta diversas propriedades singulares [1,2], e suas ligas tem despertado intenso interesse [1,2,3]. Por outro lado, o Mn se destaca pelas suas propriedades magnéticas. Já a liga MnBi é uma das mais estudadas para aplicação em magneto-óptica de armazenamento de dados, mas a estabilidade cristalina e magnética é problemática [4]. Este trabalho inicia o estudo de propriedades ópticas, magnéticas e de transporte em filmes de Bi, Mn e suas ligas. CONCLUSÃO : Medidas de perfilometria em amostras de diversas espessuras revelaram proporcionalidade entre massa evaporada e espessura do filme, fato importante para a calibração de estequiometrias em filmes. Medidas de transmitância nos filmes de Bi mostraram que a espessura do filme altera suas propriedades ópticas. E medidas de resistência em função da temperatura mostram um caráter semicondutor e em certo momento de metal. Figura 1: Transmitância para a amostra Bi que filmes de Bi tem forte sensitividade à temperatura durante a evaporação, sendo que esta altera suas as propriedades [4]. Os resultados de medidas elétricas (figura 2) com contatos de cola carbono apresentaram, abaixo de 240 K, resistência negativa. Por tal razão, interrompeu-se a medida, suspeitando-se desse comportamento estar associado aos contatos, optou-se então pela utilização de solda com índio. O qual apresentou três estágios, sendo o primeiro, entre25 e 80 K, relação decrescente entre T e R, segundo,entre 80 e 120K, há um aumento de R em função de T e por fim de 120 a 280K novamente uma relação decrescente entre T e R. Sendo este efeito já observado em outros trabalhos [5]. Figura 2: Gráficos da resistência em função da temperatura MÉTODOS Cresceu-se filmes de Bi e Mn por evaporação térmica em substratos de vidro. Realizou-se medidas de perfilometria, absorção óptica e de resistência elétrica em função da temperatura (medidas a 4 pontas, rampa de corrente: -100  A a +100  A). RESULTADOS Os resultados apresentados para Bi (figura 1), para o filme espesso ocorre transmissão apenas no infravermelho, acima de 2300 nm. Julgamos ser a manifestação de uma propriedade intrínseca de filmes metálicos, denominada efeito SEIRA (SurfaceEnhanced Infra-RedAbsorption), na absorção óptica [3]. Para Bi com espessura de 21nm estão relacionados com as condições de crescimento. De fato, estudos prévios revelam