Integração de Processo de Microeletrônica Exemplo: processo nMOS com:

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1 Integração de Processo de Microeletrônica Exemplo: processo nMOS com:
Integração de Processo de Microeletrônica Exemplo: processo nMOS com: - porta Si-poli - isolação LOCOS

2 Litografia: de máscara à gravação

3 Deposição de camada de Si3N4 por CVD
Ex.: SiH4 + N2

4 Aplicação e espalhamento de fotorresiste
Spinner

5 Alinhamento da Máscara e Exposição

6 Revelação do Fotorresiste

7 Corrosão do Si3N4 por plasma reativo

8 Remoção do fotorresiste por dissolução em acetona

9 Oxidação do Si em Forno Térmico
Ex.: 1000 °C em O2 + H2O

10 Corrosão da camada de Si3N4 em H3PO4

11 Oxidação do Si em Forno Térmico
Óxido Fino de 2 a 50 nm Ex. 900 °C em O2

12 Deposição de camada de Si-poli por CVD
Ex. 650 °C em SiH4

13 Fotolitografia e corrosão da camada de Si-poli por plasma reativo

14 Formação de Fonte/Dreno por Implantação de Íons
Ex.: íons de fósforo a 50 keV, 1016/cm2

15 Deposição de camada de SiO2 por PECVD
Ex.: a 400 °C em SiH4 + N2O

16 Fotolitografia e corrosão da camada de SiO2 por plasma reativo

17 Deposição de camada de Alumínio por evaporação térmica ou por “sputtering”.

18 Fotolitografia e corrosão da camada de Alumínio por plasma reativo

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