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PublicouCaio Casqueira de Lacerda Alterado mais de 8 anos atrás
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Disciplina: MAF – 2130 Química aplicada às engenharias Prof. Dr. Julio Cesar Queiroz de Carvalho jcqcarvalho@gmail.com Pontifícia Universidade Católica de Goiás Av. Universitária 1.440, Setor Universitário Goiânia-GO, CEP: 74605-010 Fone: +55 62 3946-1000
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Aulas 10 e 11 Estrutura e processos eletrônicos: Propriedades elétricas e Teoria de bandas e Semicondutores Aulas 10 e 11 Estrutura e processos eletrônicos: Propriedades elétricas e Teoria de bandas e Semicondutores
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Condução Elétrica V = I.R Relaciona a corrente I – ou a taxa de passagem de carga – à voltagem aplicada V. R é a resistência do material à passagem da corrente. V é dado em volt (V), I em ampère (A) e R em ohm ( ). Resistividade ( ) Relaciona a resistência elétrica ao longo do material, em que A é a área da seção transversal e l o comprimento. A unidade de é .m
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Condução Elétrica É usada para especificar a natureza elétrica de um material. Indica a facilidade com que um material é capaz de conduzir corrente elétrica. Expressa o inverso da resistividade. Sua unidade é ( .m) -1. Em que J é a densidade de corrente – a corrente por unidade de área ( I/A ) e E é a intensidade do campo elétrico.
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Condução Elétrica
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v a = e.E Velocidade de arrasto Mobilidade eletrônica (m 2 /V.s)
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Condução Elétrica = n.|e|. e n é número de elétrons livres ou de condução por unidade de volume e |e| é a magnitude absoluta da carga elétrica (1,6x10 -19 C)
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Semicondutividade
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É caracterizado pela estrutura de bandas mostrada anteriormente, cujo espaçamento proibido é menor que 2 eV. Não possui qualquer tipo de impureza.
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Semicondutividade = n.|e|. e + p.|e|. e De forma simplificada, a lacuna ou “buraco” é entendida como um portador de carga positiva (+1,6x10 -19 C).
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Semicondutividade É determinado pelas impurezas, as quais, quando presentes mesmo em concentrações diminutas, introduzem um excesso de elétrons ou de buracos.
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Semicondutividade n.|e|. e
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Semicondutividade p.|e|. e
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Dispositivos Semicondutores
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