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Si OOOO NÍVEL DE INTEGRAÇÃO NÍVEL DE INTEGRAÇÃO DISPOSITIVOS/CHIP SSI 2 a 50 MSI 150 a 5.000 LSI 5.000 a 100.000 VLSI 100.000 a 10.000.000 ULSI 10.000.000.

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2 Si OOOO

3 NÍVEL DE INTEGRAÇÃO NÍVEL DE INTEGRAÇÃO DISPOSITIVOS/CHIP SSI 2 a 50 MSI 150 a LSI a VLSI a ULSI a SLSI acima de

4 ALGUNS PROBLEMAS COM CONTAMINAÇÃO DEGRADAÇÃO DO DESEMPENHO - QUALIDADE DO ÓXIDO DE PORTA - TEMPO DE VIDA DOS PORTADORES DE CARGA FONTEDRENO METAL PORTA ÓXIDO DE PORTA Contaminantes atuam como armadilhas, degradando tempo de vida e mobilidade no canal Contaminantes atuam como armadilhas ou cargas no óxido TRANSISTOR MOS

5 DEGRADAÇÃO DA CONFIABILIDADE FONTEDRENO METAL PORTA ÓXIDO DE PORTA Contaminantes atuam como pontos fracos, degradando a rigidez dielétrica do óxido de porta - RUPTURA DO ÓXIDO DE CAMPO - CONTATO RUIM

6 DEGRADAÇÃO DO RENDIMENTO - UM ÚNICO DEFEITO PODE ARRUINAR TODO UM CIRCUITO Defeito fatal no circuito

7 - PARTÍCULAS

8 C) JATO DE NITROGÊNIO MAIS ADEQUADO MAIS DIFÍCIL PODE CONTAMINAR COM METAIS DA PINÇA MELHOR LIMPEZA? DEPENDE DA SUPERFÍCIE DA AMOSTRA

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14 Fonte:FiberSystems International Vol.3 N.1 pg.29 February 2002

15 Base Mundial de Computadores Micros multi- núcleos de 64 a 256 bits

16 MSI – 100K Hz clock 1Kbit 1 sr calculator, 1 st Proc. 16K RAM Proc. – 1MHz clock 64K RAM 1M RAM 64M RAM 16M RAM 1G RAM 4G RAM 16G RAM 64G RAM 1 Terabit RAM Proc. 32 bits – 10MHz 50 MHz clock 2000 MHz clock Proc. with 25M comp. 400 MHZ clock P 500MHz 50M. P 625MHz 100M com Número de Componentes Ano 1E+0 0 1E+02 1E+01 1E+03 1E+05 1E+04 1E+06 1E+08 1E+07 1E+09 1E+11 1E+10 1E+12 1E+13 Capacidade de Integração em Microeletrônica e Relógios

17 Figura 3. Projeção a longo prazo da tendência de redução das dimensões dos dispositivos eletrônicos, contidos numa pastilha de silício associada com a tendência de aumento de área física dessas pastilhas para os próximos 70 anos Redução de dimensões e tamanhos das pastilhas de silício


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