Transistores de Junção

Transistores de Junção

História Válvula triodo

Vantagens do transistor Menor tamanho; Muito mais leve; Não precisava de filamento; Mais resistente; Mais eficiente, pois dissipava menos potência; Não necessitava de tempo de aquecimento e; Menores tensões de alimentação.

Definição: É um dispositivo semicondutor, de germânio ou silício, de três camadas. Finalidade: O transistor tem por finalidade controlar o fluxo de corrente.

Construção de transistores: Os transistores podem ser construídos com duas camadas de um material tipo N intercaladas uma camada de um material tipo P . Aspecto construtivo

Construção de transistores: Os transistores podem ser construídos com duas camadas de um material tipo P intercaladas uma camada de um material tipo N. Aspecto construtivo

Tipos de transistores: Os transistores, quanto a construção, podem ser de dois tipos diferentes. Transistores NPN; e Transistores PNP.

Tipos de transistores: Símbolos dos transistores. Transistores NPN Transistores PNP

Identificando os terminais dos transistores: Cada uma das camadas, que corresponde aos terminais transistor, recebe um nome em relação á sua função na operação do transistor. Transistores NPN Transistores PNP Aspecto construtivo Símbolo

Tipos de transistores: Identificando os terminais dos transistores: C Transistores NPN B C E Transistores PNP B E

Características dos transistores: O emissor é fortemente dopado, pois tem como função emitir portadores de carga para a base.

Características dos transistores: O coletor é levemente dopado, pois tem como função coletar portadores que vem da base. É muito maior que as outras camadas, pois é nele que se dissipa a maior parte da potência gerada pelos circuitos transistorizados.

Características dos transistores: A base tem uma dopagem média e é muito fina.

Construção do transistor O emissor é fortemente dopado; A base tem uma dopagem média e é muito fina; e O coletor é levemente dopado.

Junção PN Camada de Depleção P N

O transistor é formado por duas junções PN que surgem através da recombinação de portadores quando dois elementos opostos são unidos. BASE E C B Transistor NPN

O transistor é formado por duas junções PN que surgem através da recombinação de portadores quando dois elementos opostos são unidos. BASE E C Transistor PNP B

A base tem uma dopagem média e é muito fina.
Transistores de Junção O transistor é formado por duas junções PN que surgem através da recombinação de portadores quando dois elementos opostos são unidos. O emissor é fortemente dopado, pois tem como função emitir portadores de carga para a base. O coletor é levemente dopado, pois tem como função coletar portadores que vem da base. Vγ A base tem uma dopagem média e é muito fina. Vγ E C B Transistor NPN E C Transistor PNP B

Funcionamento dos transistores NPN e PNP Polarização direta da junção base-emissor

Funcionamento dos transistores NPN e PNP Polarização reversa da junção base-coletor Polarizando-se a junção base-coletor reversamente, com Vcb > Vbe, vemos que a barreira de potencial aumenta, diminuindo drasticamente o fluxo de corrente dos portadores majoritários.

Funcionamento dos transistores NPN e PNP Polarização reversa da junção base-coletor Numa junção inversamente polarizada, há a passagem de uma corrente reversa causada pelos portadores minoritários e que essa corrente aumenta de intensidade à medida que o número de portadores minoritários aumenta.

Funcionamento dos transistores NPN e PNP Polarização completa

Funcionamento dos transistores NPN e PNP Polarização Estática: aplicação apenas da tensão DC, determina valores fixos de correntes e tensões.

Tensões e Correntes nos Transistores NPN e PNP Tensões e correntes nos transistores

Tensões e Correntes nos Transistores NPN e PNP Ie = Ic +Ib Ie – Corrente de emissor - é a maior corrente do transistor; Ib – Corrente de base – equivale a, no máximo, 5% da Ie; Ic - Corrente de coletor – equivale a, no mínimo, 95% da Ie.

Tensões e Correntes nos Transistores NPN e PNP Vce = Vbe + Vcb Vce – Tensão medida entre os terminais de coletor e emissor do transistor; Vcb – Tensão medida entre os terminais de base e coletor do transistor, equivale à tensão na barreira de potencial entre base e coletor; Vbe – Tensão medida entre os terminais de base e emissor do transistor, equivale à tensão na barreira de potencial entre base e emissor;

Configurações Básicas Diferentes configurações de um transistor

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