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Reflexões (Presidente Franklin Roosvelt) É melhor atirar-se à vida em busca de dias melhores, mesmo correndo o risco de perder tudo, do que ser daqueles.

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1 Reflexões (Presidente Franklin Roosvelt) É melhor atirar-se à vida em busca de dias melhores, mesmo correndo o risco de perder tudo, do que ser daqueles que não disputam, mas também não vencem. Que não conhecem a dor da derrota, mas que não tem a glória de ressurgir dos escombros. Esses pobres de espírito, ao final da jornada aqui na terra, não agradecem a Deus por terem vivido, mas desculpam-se diante Dele por haverem passado simplesmente pela vida. É melhor atirar-se à vida em busca de dias melhores, mesmo correndo o risco de perder tudo, do que ser daqueles que não disputam, mas também não vencem. Que não conhecem a dor da derrota, mas que não tem a glória de ressurgir dos escombros. Esses pobres de espírito, ao final da jornada aqui na terra, não agradecem a Deus por terem vivido, mas desculpam-se diante Dele por haverem passado simplesmente pela vida.

2 Eletrônica de Potência u Diodos Semicondutores de Potência; u Capítulo 2, páginas 29 à 35; u Aula 5; u Professor: Fernando Soares dos Reis;

3 Sumário Capítulo 2 u 2.4 Tipos de Diodos de Potência; u 2.5 Efeitos dos Tempos de Recuperação Direto e Reverso; u RESUMO;

4 2.4 Tipos de Diodos de Potência u Diodos padrão ou genéricos; u Diodos de recuperação rápida; u Diodos schottky

5 2.4.1 Diodos Genéricos u Apresentam tempos de recuperação reversa da ordem de 25 s. São utilizáveis até freqüências de 1 kHz; u Suportando correntes de 1 A até milhares de Amp; u Geralmente são fabricados por difusão. Entretanto, tipos de retificadores de junção fundida, utilizados em fontes de alimentação de máquinas de solda, são mais baratos e robustos. 300 A e 1000V

6 2.4.2 Diodos de Recuperação Rápida u Apresentam tempos de recuperação reversa t rr menores que 5 s. u Suportando correntes de 1 A até centenas de Amp e tensões entre 50 e 3000 V; u Para tensões abaixo de 400 V utilizam a tecnologia epitaxial aumentando assim a sua velocidade. Porém, para tensões maiores é necessária a utilização da difusão, o que aumenta o tempo de recuperação reversa;

7 2.4.3 Diodos Schottky u O problema do armazenamento de cargas em uma jun- ção pn pode ser minimizado, fazendo-se uma barreira de potencial com um contato entre um metal e um semi- condutor. Uma camada de metal é depositada em uma fina camada epitaxial de silício do tipo n. A barreira de potencial simula o comportamento da junção pn. A ação dos portadores depende apenas dos portadores majoritá- rios, e como resultado não há portadores minoritários em excesso para se recombinarem. O efeito de recupera- ção deve-se unicamente à capacitância própria da junção semicondutora.

8 2.4.3 Diodos Schottky u A corrente de fuga de um diodo Schottky é maior que a de um diodo de junção pn e é diretamente pro- porcional ao valor da tensão reversa; u Assim, a máxima tensão disponível é geralmente limitada a 100 V; u A sua faixa de corrente esta entre 1 a 300 A; u São utilizados em fontes de alimentação CC. Altas correntes e baixas tensões; u Aumentar eficiência; u Pequena queda de tensão;

9 2.5 Efeitos dos Tempos de Recuperação Direto e Reverso u A chave SW conduz de t = 0 até t = t 1 ; u O diodo D m conduzirá de t = t 1 até t = t 2 devido a presença do indutor no circuito; u No instante t = t 2 um novo ciclo tem início com a condução da chave SW;

10 didt I RR

11 2.5 Efeitos dos Tempos de Recuperação Direto e Reverso u Para limitar o pico de corrente acrescenta-se um pequeno indutor em série com a chave SW. O indutor L s limita a di/dt; u Os diodos práticos requerem um certo tempo de entrada em condução t rf (tempo de recuperação direta - forward recovery time) antes que todo a área da junção se torne condutiva;

12 2.5 Efeitos dos Tempos de Recuperação Direto e Reverso i1i1i1i1 i2i2i2i2

13 u A energia armazenada em excesso em L S induziria uma tensão reversa elevada em D m ; u Essa energia em excesso pode ser transferida do indutor L s para um capacitor C S ;

14 RESUMO u As curvas dos diodos práticos diferem dos diodos ideais; u O t rr tem um papel significativo, especialmente em aplicações de alta velocidade de chaveamento; u Diodos genéricos; u Diodos de recuperação rápida rápida; u Diodos Schottky;

15 RESUMO u Diodos Schottky; Apesar de um diodo Schottky comportar-se como um diodo de junção pn, não há junção física; e como resultado o diodo Schottky é um dispositivo de portadores majoritários. Por outro lado, um diodo de junção pn é um dispositivo de portadores tanto majoritários quanto minoritários;


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