Germano Maioli Penello

Apresentação em tema: "Germano Maioli Penello"— Transcrição da apresentação:

1 Germano Maioli Penello
Eletrônica II Germano Maioli Penello 24/03/2015

2 MOSFET

3 MOSFET Dispositivo de 3 terminais Amplificação de sinal Lógica digital
Memória Largamente utilizado no design de CI

4 MOSFET Dispositivo de 3 terminais Fabricado em dimensões reduzidas
Amplificação de sinal Lógica digital Memória Fabricado em dimensões reduzidas Opera em baixa potência Utilizado em projetos de VLSI (microprocessadores atuais) Largamente utilizado no design de CI

5 Fabricação do MOSFET

6 Operação do MOSFET

7 Operação do MOSFET Vgs < Vt - Região de corte (iD = 0)
Canal só é criado quando Vgs > Vt (Vov < Vgs – Vt ) Vds < Vov (Região Triodo) Vds < Vov (Região de saturação) Observe essas regiões no aplicativo do slide anterior

8 Característica de transferência de tensão (VTC)
Q - ponto quiescente

9 Característica de transferência de tensão (VTC)
Q - ponto quiescente

10 Ganho de tensão de sinal pequeno

11 Operação de sinal pequeno
Na saturação, iD a Vov2 ou iD a (VGS - Vt)2

12 Modelo de circuito equivalente para sinais pequenos
Fonte de corrente controlada por tensão

13 Amplificadores MOSFET

14 Transcondutância (gm)
Lembrando:

15 BJT

16 BJT

17 BJT

18 BJT

19 Região ativa e de saturação
Transistor npn com corrente IE constante. Atenção! Saturação em BJT é completamente diferente do MOSFET. A região de saturação do MOSFET corresponde à região ativa do BJT.

20 Região ativa

21 Amplificador de tensão

22 Amplificação linear Ponto quiescente

23 Amplificação linear

24 Transcondutância (gm)
<10mV , se 