Tecnologia CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor

Apresentação em tema: "Tecnologia CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor"— Transcrição da apresentação:

1 Tecnologia CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor

2 MOS - Metal Oxide Semiconductor
Diodos invertidos; canal Interrompido Vgs provoca depleção de cargas tipo do substrato Canal se torna do tipo da fonte e dreno; há corrente NMOS n p PMOS

3 Par de Transistores em Substrato P

4 Transistores MOS Equivale a um resistor controlado por tensão PMOS
SOURCE GATE Equivale a um resistor controlado por tensão DRAIN PMOS Vds=0 ==> chave fechada NMOS Vds=0 ==> chave fechada

5 Inversor CMOS

6 Modelo de Chaveamento

7 Características CMOS Circutos empregam par complementar: nmos e pmos
Saída Simétrica Low e High Gate altamente capacitivo (Ig0): amp Não há corrente na saída (carga=0) exceto no chaveamento quando: no transiente ambos transistores estão parcialmente ON consumo de corrente depende da frequência (CV2f=power)

8 CMOS NAND Gates Usa 2n transistores para n-entradas

9 CMOS NAND -- modelo de chaveamento

10 CMOS NAND -- 3 entradas

11 Porta não Inversora:

12 AND de 2-entradas:

13 CMOS NOR Gates 2n transistores para n-entradas

14 Transistor nMOS a Nível de Camadas Semicondutoras
W D Substrato D G Difusão N S G L Polisilício Contato Metal S Fotolitografia sobre substrato Relação W/L determina comportamento do transistor

15 Layout de um Inversor Difusão P Difusão N Polisilício Metal
VDD VIN VOUT Difusão N Polisilício GND Metal Contato Metal

16

17