Dep. Eng. de Sistemas Eletrônicos Escola Politécnica da USP

Apresentação em tema: "Dep. Eng. de Sistemas Eletrônicos Escola Politécnica da USP"— Transcrição da apresentação:

1 Dep. Eng. de Sistemas Eletrônicos Escola Politécnica da USP
Fabricação de nanoestruturas Prof. Dr. Antonio Carlos Seabra Dep. Eng. de Sistemas Eletrônicos Escola Politécnica da USP

2 Fabricação de nanoestruturas
Nanolitografia Nanocorrosão Nanodeposição

3 Litografia Top-Down Litografia na Indústria de CIs
Litografia Óptica Litografia por Raios-X Litografia por Feixe de Elétrons Litografia Top-Down para Nanotecnologia Aplicações

4 No que se baseia um Circuito Integrado?
O elemento essencial de um CI é o transistor de efeito de campo (FET) FET FET vI = 0 V vI = 5 V (VDD)

5 Funcionamento do Transistor FET
MOSFET Metal-Óxido-Semicondutor FET n+ n+ p

6 Funcionamento do Transistor FET
p

7 Funcionamento do Transistor FET
p/ vDS ≥ vGS - Vt

8 Funcionamento do Transistor FET
FET tecnologia 65nm Lporta = 35 nm tox = 1.2 nm n = Silício strained de 2ª geração Ron = NiSi for low resistance

9 Projeto e Fabricação de CIs
Máscaras Projeto (CAD)

10 As Etapas de Fabricação de CIs
Máscara Litografia Transistor Dopagem Corrosão

11 As Etapas de Fabricação de CIs
Litografia Transferência dos traçados desejados (geometrias) para uma máscara na superfície da amostra Corrosão Transferência dos traçados da máscara na superfície da amostra para as camadas de interesse, integrantes do dispositivo final Portanto Litografia e Corrosão são nomes de etapas da fabricação e não nome dos processos de fabricação

12 Projeto e fabricação de CIs
Célula de 0.57 um2 na geração 65 nm (6 transistores) nano-interconexões elétricas Faça certo Faça rápido Faça sempre 25 x 10 mm2 nanodispositivos

13 Litografia na Indústria de CIs (faça certo)
Resolução e Controle da Dimensão Crítica ~65nm Mollenstaedt e Steigel, 1960 Dimensões mínimas atuais: 65nm  45nm Controle da dimensão crítica: 6.6nm  4.7nm

14 Litografia na Indústria de CIs (faça certo)
Precisão de Alinhamento (20% da menor dimensão) ~25mm ´ 25mm 33 camadas! Chip T = 1°C ;  do silício = 2,33 ppm / °C   = 60nm! Controle da dimensão crítica: 11nm  8nm

15 Litografia na Indústria de CIs (faça certo)

16 Litografia na Indústria de CIs (faça rápido)
Produtividade Lâminas de 300mm de diâmetro ( chips/lâmina – 33níveis) 100 níveis por hora (3 lâminas/hora) 33 horas expõe totalmente 100 lâminas (Tennant, Nanotechnology, 1999) AFM tem uma resolução 100 vezes melhor mas é 1 bilhão de vezes mais lento As mesmas cem lâminas levariam 30 milhões de anos…

17 Litografia na Indústria de CIs (faça sempre)
Reprodutibilidade Feynman (1959): É minha intenção oferecer um prêmio de US$ à primeira pessoa que conseguir colocar o conteúdo escrito de uma página em uma área vezes menor, de forma que ela possa ser lida por um microscópio eletrônico de varredura 6 m 9 m Livro  letras de 60nm o prêmio foi concedido em 1987, quase 30 anos depois! 

18 Possibilidades Litográficas p/ CIs
Máscaras CAD Máscara(s) Litografia Óptica Litografia por Raios-X

19 Litografia Óptica

20 Litografia Óptica Impressão por Contato Suss MJB3

21 Fonte de Luz Lâmpada de Arco - Mercúrio (fazer rápido)
USH-350DP (350W) 365nm (linha i) 436nm (linha g)

22 Litografia Óptica Impressão por Contato

23 Máscara Substrato Material Opaco Características do Substrato
Altamente transparente no comprimento de onda de interesse Pequeno coeficiente de expansão térmica Opticamente plano (Vidro de borosilicato, sílica fundida, quartzo) Características do Material Opaco Perfeitamente opaco no comprimento de onda de interesse Boa aderência ao substrato Alta durabilidade (cromo ou emulsão)

24 Litografia Óptica Impressão por Contato

25 Resiste Resiste Positivo Revelação w Resiste Negativo
Solubilidade (no revelador) das regiões expostas é muito maior que das regiões não expostas Resiste Positivo Resiste Negativo Resiste Positivo Resiste Negativo Revelação Dose (mJ/cm2) Espessura final Dexp w Resiste Negativo Solubilidade (no revelador) das regiões expostas é muito menor que das regiões não expostas Dose (mJ/cm2) Espessura final Dexp

26 Litografia Óptica Impressão por Contato

27 Sistema óptico: impressão por contato
4”, 6”, 8”, 12”

28 Difração em Litografia por Contato
Transferência para o resiste não é perfeita devido aos fenômenos de difração óptica: Difração Fraunhofer (grandes distâncias entre objeto e imagem), não é o caso Difração de Fresnel (pequenas separações entre objeto e imagem) Máscara Lâmina

29 Difração em Litografia por Contato
Limite Teórico para linhas e espaços iguais (rede de difração) Período da r.d. Comprimento de onda Distância másc/subst Espessura do resiste

30 Litografia por Contato
Para s = 0: l = 436nm l = 365nm d = 1mm 0,70mm 0,64mm d = 0,5mm 0,50mm 0,46mm

31 Problemas da Litografia por Contato
Substrato Resiste +-10nm Substrato Máscara Sujeiras Alguns mm Máscara Substrato 3”, 4”, 5”, 6”  Máscara 3”, 4”, 5”, 6” (1:1) Dimensões mínimas na máscara = dimensões mínimas no substrato (máscara isenta de defeitos e igual aos traçados finais)

32 Impressão por Proximidade
Litografia Óptica Impressão por Proximidade Separação (s) Reduz significativamente defeitos por contato Degrada significativamente a resolução (s  0): l = 436nm l = 365nm d = 0,5mm s = 10mm 6,3mm 5,8mm 14mm 13mm (0,50mm) (0,46mm)

33 Possível solução: Impressão por projeção
(10~4:1) Sistema óptico de redução (10~4:1)

34 Impressão por Projeção
Difração de Fraunhofer (objeto e imagem distantes)

35 Impressão por projeção
Resolução Crit. Rayleigh: R = 1.22  / 2 NA R = 0.6  / NA (obj) R Maneiras de melhorar a resolução: Diminuir l Aumentar NA Melhorar o processo (reduzir k)

36 Impressão por projeção
Como temos uma redução óptica, outro aspecto importante é a profundidade de foco: onde k´ é um fator do sistema óptico Substrato não é plano (~10mm) Há topografia no substrato (~1mm) DOF reduz muito mais rápido com NA do que R melhora

37 Impressão por Projeção
A solução é reduzir l

38 Impressão por Projeção
Outra solução é reduzir k Dexp Densidade de Energia (mJ/cm2) + Curva de Contraste Do Resiste Dose (mJ/cm2) Espessura final Dexp

39 Impressão por Projeção
Outra solução é aumentar NA NA = n.sen() (Immersion Lithography)

40 Stepper de última geração

41 Comparação Sistema Vantagens Desvantagens Contato Proximidade Projeção
Alta resolução Baixo custo Alta produtividade Contaminação da máscara Defeitos Proximidade Baixa contaminação da máscara Baixa resolução Projeção Baixa cont. da masc. Custo

42 O passo natural Litografia por raios-X Benefícios
Baixíssimos comprimentos de onda (10-0,01nm, Intel usa 13nm)   altíssima resolução (~20nm) Defeitos, particulados são transparentes aos Raios-X Problemas Fontes de luz caras (síncroton) Sem óptica de redução (muito difícil, espelhos com l/20) Fonte pontual erro geométrico Máscara de difícil fabricação (1:1), empregando materiais transparentes / opacos aos raios-X: Material opaco: Metal pesado como Au Material transparente: Material leve na forma de membrana (1~2mm de Si3N4)

43 Erro geométrico Erro de magnificação lateral Zona de penumbra Soluções
d = (g/L) r Zona de penumbra p = (g/L) a Soluções Pode-se corrigir a máscara para d Reduzir o espaçamento g (muito difícil, planicidade do substrato e da máscara) Aumentar L (fontes mais intensas)

44 Fabricação de uma máscara para Raios-X