Transistor de junção bipolar Sedra & Smith, 4a edição, capítulo 4 http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/book/toc5.htm adaptação – Prof. Corradi www.corradi.junior.nom.br.

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1 Transistor de junção bipolar Sedra & Smith, 4a edição, capítulo 4 adaptação – Prof. Corradi Transistor npn Figura 4.1 Estrutura simplificada do transistor npn.

2 Transistor de junção bipolar (2)
Transistor pnp Figura 4.2 Estrutura simplificada do transistor pnp. Dependendo da polaridade da tensão aplicada em cada junção, obtém-se diferentes modos de operação do TJB.

3 Modos de operação do TJB npn http://ece-www. colorado
Modos de operação do TJB npn e Sedra. A função do emissor e do coletor são invertidas (TJB não são normalmente simétricos). “Ligado” – baixa impedância Saturado Liga/Desliga: circuitos lógicos “Desligado” – elevada impedância Cortado (vBC e vBE reversam. pol.) Pequena corrente reversa.  Amplificadores com TJB Modo JEB JCB Cortado Reverso Ativo Direto Saturação

4 Operação do transistor npn na região ativa
Figura 4.3 Fluxo de corrente em um transistor npn polarizado de modo a operar na região ativa. (Componentes de corrente reversa devido ao movimento de deriva de portadores minoritários gerados termicamente não estão mostrados.)  Estão mostrados apenas os componentes da corrente de difusão.

5 Concentração dos portadores minoritários
ncoletor = 0  JBC diretamente polarizada Figura 4.4 Perfis das concentrações de portadores minoritários na base e no emissor de um transistor npn operando no modo ativo: vBE > 0 and vCB ³ 0.

6 A corrente de coletor iC
 Corrente de difusão de elétrons In :  A corrente de coletor iC = In :  Observe que a magnitude de iC independe de vCB (contanto que seja  0). IS: fator de escala de corrente

7 A corrente de base iB  Componente iB1 (lacunas injetadas da base para a região do emissor):  Componente iB2 (lacunas que devem ser fornecidas pelo circuito externo de modo a repor as lacunas perdidas na base pelo processo de recombinação): Dp: difusividade das lacunas no emissor; Lp: comprimento de difusão de lacunas no emissor; ND: concentração de dopantes no emissor. t b: tempo de vida do portador minoritário Qn: carga do portador minoritário na base.

8 A corrente de base iB (2)  b: ganho de corrente com emissor comum (usualmente, 100 < b < 200).  Para obter um elevado valor de b (desejável), a base deve ser fina (W pequeno) e levemente dopada e o emissor fortemente dopado (NA / ND pequeno).  Constante para um transistor em particular (no caso ideal)

9 A corrente de emissor iE
 a: constante para um transistor em particular (idealmente), < 1 (se, por ex., b = 100    0,99).  Pequenas variações em a correspondem a grandes variações em b. a: ganho de corrente em base comum.

10 Transistor npn na região ativa
Tensão direta vBE : corrente iC (dependência exponencial com vBE ) flui no terminal de coletor. iC independe da tensão do coletor contanto que vCB  0.  Na região ativa de operação, o terminal de coletor comporta-se como uma fonte de corrente constante ideal, em que o valor da corrente é determinada por vBE . iB = iC / b ; iE = iC + iB iB << iC (b >>1)  iE  iC (iC = a iE , a < 1, mas  1)

11 Modelos de circuitos equivalentes
Diodo DE : fator de escala de corrente = IS / a  fornece a corrente iE relacionada a vBE conforme as equações anteriores.  Fonte de corrente não-linear controlada por tensão (grandes sinais). Pode-se convertê-la em uma fonte de corrente controlada por corrente expressando-se a corrente da fonte controlada por a iE. B: terminal comum (terra)  a: ganho de corrente de E para C.

12 Estrutura física simplificada
Figura 5.6 Seção transversal de um TJB npn. Fazer os exercícios 4.1 a 4.5 do livro texto.

13 O transistor pnp Figura 4.7 Fluxo de corrente em um transistor pnp polarizado de modo a operar no modo ativo.

14 O transistor pnp – circuitos equivalentes (grandes sinais)
iE + vEB – iB iC B C Figura 4.8 Dois modelos de grandes sinais para o transistor pnp operando no modo ativo.

15 Símbolos de circuito e convenções
iC iE  Indica a direção da polarização direta da junção BE. Figura Polaridade das tensões e fluxo de corrente nos transistores polarizados no modo ativo de operação ( vBE (ou vEB ) >0 e vCB (ou vBC )  0 ).

16 Relações corrente-tensão do TJB no modo ativo de operação

17 Exemplo 4.1 O transistor na figura tem b = 100 e exibe uma tensão vBE de 0,7V com iC = 1 mA. Projete um circuito de modo que uma corrente de 2 mA flua através do coletor e que uma tensão de + 5V apareça no coletor.

18 Exemplo 4.1 - solução VC = +5 V  VRC = 15 – 5 = 10 V
IC = 2 mA  VRC = 10 V / 2 mA = 5 kW  vBE = 0,7 V com iC = 1 mA  vBE com iC = 2 mA é dado por:  VB = 0  VE = – 0,717 V b = 100  a = 100/101  IE = IC / a = 2 / 0,99 = 2,02 mA  RE = (VE – (– 15)) / IE = 7,07 kW

19 Representação gráfica das características do transistor
Figura A característica iC –vBE de um transistor npn (igual à curva i-v do diodo, exceto pelo valor da constante n). As características iE-vBE e iB-vBE são também exponenciais, mas com diferentes correntes de escala: IS /a para iE e IS /b para iB. Para análises dc rápidas de primeira ordem, normalmente assume-se que VBE  0,7V. Para um transistor pnp, a característica iC –vEB será idêntica à da figura. A tensão na junção emissor-base decresce de, aproximadamente, 2 mV para cada acréscimo de 1oC na temperatura (para uma corrente de junção constante). Figure 4.13 Efeito da temperatura na característica iC–vBE. Para uma corrente de emissor constante (linha tracejada), vBE varia na taxa de –2 mV/°C.

20 Transistor npn: i C  v CB (por iE)
Modo ativo de operação (vCB  0). Figura A característica iC – vCB de um transistor npn.

21 Dependência de i C com a tensão de coletor – o efeito Early
Modo ativo de operação  TJBs mostram uma certa dependência com da corrente de coletor com a tensão de coletor.  Suas características iC – vCB não são linhas retas horizontais. Figura (a) Circuito conceitual para a medição da característica iC –vCE do TJB. (b) A característica iC –vCE de um TJB usual.

22 Dependência de i C com a tensão de coletor – o efeito Early (2)
vBE > 0. vCE pequeno (vC < vB)  JCB: polarização direta  região de saturação.  vCE  vCB < 0  JCB: pol. reversa   espessura da região de depleção na JCB   WEFETIVA DA BASE   IS   iC : efeito Early.  Relação linear de iC com vCE : assumindo que IS permanece constante:  Inclinação não-nula das linhas retas iC – vCE : a impedância de saída do coletor não é infinita

23 Dependência de i C com a tensão de coletor – o efeito Early (3)
Inclinação não-nula das linhas retas iC – vCE  a impedância de saída do coletor é finita e definida por: Da equação anterior: ro  VA / IC IC : o nível da corrente correspondendo ao valor constante de vBE próximo à fronteira da região ativa. Esta dependência de iC com vCE no projeto e análise do circuito de polarização normalmente não é considerada; no entanto, a resistência de saída finita ro pode ter um efeito significativo no ganho de amplificadores a transistores.

24 Análise dc de circuitos com transistores
Modelo da tensão constante VBE  assuma que VBE = 0,7V independentemente do valor exato da corrente iC . Exemplo 4.2: Considere o circuito da figura. Deseja-se analisar este circuito de modo a determinar as tensões em todos os nós e as correntes em todos os ramos. Assuma b = 100.

25 Exemplo 4.2 – análise O transistor está na região ativa?
 VB (em relação ao terra) = 4V ; VE = VRE < 4V (assumindo o modo ativo de operação, há uma queda VBE de 0,7 na JBE)  A junção BE está diretamente polarizada.  VE = 4 – VBE  4 – 0,7 = 3,3 V  VRE = VE = 3,3 V  IE = VE / RE = 1 mA .  VC = 10 V – IC RC ; VB = 4V  Vamos assumir que VBC < 0: região ativa de operação (juntamente com a condição VBE > 0).  Assim: IC = a IE = b / (b+1) = 100/101  0,99  IC = 0,991 = 0,99 mA.  VC = 10 – IC RC = 10 – 0,99  4,7  +5,3 V: VBC = – 1,3V ()

26 Exemplo 4.2 – análise (2) VBE > 0 , VBC < 0: O transistor está na região ativa?  IB = IE / (b + 1) = 1 / 101  0,01 mA.  Condições consistentes  O transistor está na região ativa!

27 Exemplo 4.3 Analise o circuito da figura e determine as tensões em todos os nós e as correntes em todos os ramos. Assuma b = 100. O transistor está na região ativa? Assuma, inicialmente, operação na região ativa.  O transistor está no modo de saturação (visto mais adiante).

28 Exemplo 4.4 Analise o circuito da figura e determine as tensões em todos os nós e as correntes em todos os ramos. Assuma b = 100. O transistor está na região ativa?  VB = 0V  JBE não conduz (VBE < 0)  iE = 0 ; VC = 10  IC  4,7k > VB = 0  JBC não conduz (VBC = 0 – VC < 0)  iC = 0  iB =  iC – iE = 0  O transistor está no modo cortado de operação.

29 Exemplo 4.5 Analise o circuito da figura e determine as tensões em todos os nós e as correntes em todos os ramos. Assuma b = 100. Observe que o transistor agora é pnp!

30 Exemplo 4.6 Analise o circuito da figura e determine as tensões em todos os nós e as correntes em todos os ramos. Assuma b = 100. O transistor está no modo ativo?

31 Exemplo 4.7 Analise o circuito da figura e determine as tensões em todos os nós e as correntes em todos os ramos. Assuma b = 100. O transistor está no modo ativo?

32 Exemplo 5.9 – 5a edição do Sedra&Smith
Analise o circuito da figura e determine as tensões em todos os nós e as correntes em todos os ramos. Assuma b = 100.

33 Exemplo 4.8 Analise o circuito da figura e determine as tensões em todos os nós e as correntes em todos os ramos. Assuma b = 100.