Germano Maioli Penello

Apresentação em tema: "Germano Maioli Penello"— Transcrição da apresentação:

1 Germano Maioli Penello
Microeletrônica Germano Maioli Penello Sala 5145 (sala 17 do laboratorio de engenharia elétrica) Aula 21 1

2 Pauta ÁQUILA ROSA FIGUEIREDO 201110256011 ALLAN DANILO DE LIMA
BERNADIN PINQUIERE DAVID XIMENES FURTADO HUGO LEONARDO RIOS DE ALMEIDA ISADORA MOTTA SALGADO JEFERSON DA SILVA PESSOA LAIS DA PAIXAO PINTO LEONARDO SOARES FARIA PEDRO DA COSTA DI MARCO THIAGO DO NASCIMENTO OLIVEIRA VINICIUS DE OLIVEIRA ALVES DA SILVA 2

3 Projetos mais simples Fazer esquemático e layout das portas lógicas (3 entradas) Processo C5 (300nm – C5_Models.txt) ÁQUILA ROSA FIGUEIREDO NOR ALLAN DANILO DE LIMA AND DAVID XIMENES FURTADO XOR HUGO LEONARDO RIOS DE ALMEIDA NAND ISADORA MOTTA SALGADO JEFERSON DA SILVA PESSOA LAIS DA PAIXAO PINTO OR LEONARDO SOARES FARIA PEDRO DA COSTA DI MARCO VINICIUS DE OLIVEIRA ALVES DA SILVA

4 Microeletrônica Compreender a estrutura dos semicondutores, mecanismos de condução dos componentes e circuitos integrados. Tecnologias modernas de fabricação de circuitos

5 Término do curso Efetuar projetos com estes componentes.

6 Lei de Moore Transistores com dimensões menores que 20 nm! Pentium 4
386 286

7 Introdução ao projeto de circuitos integrados CMOS
VLSI – Escala de integração muito alta (~106 MOSFETs) ULSI – Escala de integração ultra alta (~109 MOSFETs)

8 Fabricação de chips

9 Substrato e poço Os circuitos CMOS são fabricados num substrato de Si.
Dopante tipo-n (P - fósforo) Dopante tipo-p (B - Boro) – substrato mais comum de ser usado em CI CMOS No substrato tipo-p, NMOS são fabricados diretamente, enquanto PMOS são fabricados em um poço-n. O substrato ou o poço são chamados de corpo do MOSFET. Um processamento que usa o substrato tipo-p com um poço-n é chamado “processo poço-n” (“n-well process”). Um processamento que usa o substrato tipo-n com um poço-p é chamado “processo poço-p” (“p-well process”).

10 Resistor (poço-n) Além de ser usado como o corpo do PMOS, o poço pode ser usado como um resistor. Se as tensões nos terminais do resistor forem maiores que a tensão do substrato, podemos evitar que o diodo parasítico seja polarizado diretamente.

11 Resistor de poço-n Ao longo do curso veremos as diversas camadas, não se preocupe por agora. Esta é a seção reta de um resistor de poço-n após as divesas etapas de processamento.

12 Diodo entre o poço-n e o substrato
Vimos que o poço-n forma um diodo (uma junção pn) com o substrato. Como incluir este diodo num modelo que explique o circuito? Faremos isso analisando matematicamente as equações que governam o funcionamento do diodo e também veremos como o SPICE realiza as simulações.

13 Junção pn (diodo) Para que exista o fluxo de corrente em um diodo, devemos aplicar uma tensão que se aproxima de Vbi. Aplicativo: Analise qual é o lado pe qual é o lado n da junção.

14 Capacitância parasítica
Uma região de cargas fixas positivas e cargas fixas negativas pode ser analisada como placas de um capacitor! Essa capacitância parasítica é chamada de capacitância de depleção ou de junção.

15 Atraso RC por um poço-n Este é a forma básica de uma linha de transmissão RC! Ao aplicar um pulso de tensão na entrada, após um determinado tempo (tempo de atraso) o pulso aparecerá na saída. 15

16 Processos de poços gêmeos (Twin well)
No processo de poços gêmeos da figura, o poço p está conectado eletricamente no substrato. Caso seja necessário ter o substrato e o poço p em potenciais diferentes, usa-se o processo de poços-triplos. 16

17 Bonding pad Camada overglass
Cortes na passivação são feitos para obter contato elétrico. Para especificar onde abrir o contato, usamos a camada overglass. Regra MOSIS – 6mm entre o limite do metal e o da abertura overglass. Qual a escala l usada no desenho acima? l = 50 nm

18 Bonding pad Estamos exemplificando um processo de apenas 2 metais!
Se o processo tiver, por exemplo, 5 metais, o último metal (camada superior para fazer a solda) é chamado de metal5.

19 Parasíticos associados ao metal
Resistência de folha - Resistência de contato - Capacitância

20 Atraso de propagação intrínseco
Sem considerar os efeitos parasíticos, qual é o tempo de atraso de uma camada de metal em um processo CMOS? Determinar a velocidade de propagação no meio e conferir o tempo de propagação por unidade de comprimento. Utilizando o SiO2 como dielétrico com constante dielétrica ~4. 6.7 ps/mm < 28 ps/mm  efeitos parasíticos não podem ser desprezados!

21 Capacitância parasítica entre metal2 e metal1
Substrato Este fenômeno serve para explicar o funcionamento do MOSFET de porta flutuante responsável pelas memórias não-volátil flash, EPROM e EEPROM.

22 Limite de corrente Um fator que limita a quantidade de corrente que pode passar pelo metal é devido à eletromigração. Sentido da corrente - + Eletromigração – Aumento da resistência devido à corrente. (similar à erosão fluvial.)

23 Resistência de contato
Usaremos neste curso uma resistência de contato de 10W/contato R = 2.5 W R = 10 W Regra padrão: corrente máxima no contato de 100 mA O maior número de vias diminui efeitos de eletromigração (Correntes menores passarão nas vias em paralelo).

24 Ground bounce - DC Se o circuito exige uma corrente DC de 50mA, a DDP no circuito não é mais o valor ideal de 1V! Este problema pode ser resolvido aumentando a espessura do condutor (reduzindo sua resistência). Note que VDD e o terra não têm valores fixos, eles dependem de como o circuito é desenhado.

25 Ground bounce - AC É muito comum em CMOS circuitos com baixíssima dissipação (baixo consumo de corrente), ex. Calculadora de alimentação solar. Nestes casos, o problema do slide anterior não é crítico. Mas e se, num curto período, a corrente vai a 50mA? Podemos adicionar um capacitor decoupling que mantém a DDP do circuito. Este capacitor deve ser inserido externamente ao circuito entre os pinos VDD e terra do CI.

26 Exemplos de leiaute Processo de 50 nm com dois metais – leiaute de pad
Desejado: Tamanho do chip de 1 mm com o bonding pad de 100 mm (depende do processo) Mas não colocaremos pads nos cantos. Portanto, usaremos 6 pads 1040 mm ou 20800

27 Exemplos de leiaute Estruturas de teste do metal
Estruturas de teste - Caracterizar resistência de folha, capacitância de placas, capacitância de borda, capacitâncias mútuas, … Maximizando o perímetro e minimizando área. Serve para medir resistência de folha (a) ou capacitância mútua (c). Por que não fazer uma trilha reta? Limitação de tamanho!

28 Exemplos de leiaute Estruturas de teste do metal
Estruturas de teste - Caracterizar resistência de folha, capacitância de placas, capacitância de borda, capacitâncias mútuas, … Maximizando área e minimizando perímetro. Ideal para medir capacitância de placa e evitar a capacitância de borda. Capacitância de borda é medida usando duas serpentinas, uma em cima da outra.

29 MOSFET fabricação

30 Camada ativa A camada ativa define onde abrir o FOX (field oxide) definindo a área ativa. O FOX separa dispositivos uns dos outros. As áreas ativas são isoladas uma das otras pelo FOX (existe conexão entre os dispositivos pelo substrato ou pelo poço, mas o FOX tenta fazer com que essa comunicação seja mínima).

31 p-select e n-select As máscaras p-select e n-select sempre acompanham a camada ativa. Elas são usadas para dopar a região ativa com átomos p ou n (Quais átomos são usados para dopagem p ou n?).

32 Camada poly O MOSFET visto desta maneira é um dispositivo de 3 terminais; não estamos abordando a conexão ao corpo (body) do MOSFET. Com a conexão de corpo, o MOSFET passa a ser um dispositivo de 4 terminais.

33 Porta auto alinhada GOX A área abaixo do poly não é dopada.
A camada poly protege a região abaixo dela da implantação dos dopantes A fina camada de óxido entre o poly e a região ativa é chamada de óxido de porta - gate oxide (GOX) O dreno e fonte ficam auto alinhados com a deposição do poly da porta.

34 Resistências típicas Com silicide as resistências são bem menores!
Note que o silicide é sempre colocado acima do poly! Se for colocado abaixo, cria um contato retificador (contato de barreira Schottky).

35 Fluxo de processo CMOS Genérico
O pad oxide serve apenas como uma camada para o crescimento do silicon nitride que evita o crescimento de óxido. O fotorresiste é depositado e o com fotolitografia protegemos a região de interesse e definimos a região aberta no FOX.

36 Fluxo de processo CMOS Genérico
A área não protegida é corroída e forma trincheiras rasas.

37 Fluxo de processo CMOS Genérico
As trincheiras são preenchidas com SiO2 formando a região de campo (regiões do FOX). Este tipo de isolamento entre os dispositivos é chamada de isolamento de trincheira rasa (STI – shallow trench isolation)

38 Fluxo de processo CMOS Genérico
Duas regiões de implante são feitas para ajustar a tensão de gatilho. As implantações p e n são feitas em etapas distintas.

39 Fluxo de processo CMOS Genérico
Polisilício já depositado e o padrão já definido (porta do MOSFET) em cima do óxido de porta.

40 Fluxo de processo CMOS Genérico
Implantação rasa para formar o lightly doped drain (LDD) do MOSFET. Serve para prevenir o campo elétrico perto da fonte e dreno ficar muito alto (veremos detalhes mais adiante no curso). O poly serve como uma máscara para as implantações.

41 Fluxo de processo CMOS Genérico
Óxido espaçador nas laterais do poly e depois implante n+ e p+ que cria as áreas de dreno e fonte e também dopa o poly para que ele conduza.

42 Fluxo de processo CMOS Genérico
A última etapa é o silicide para reduzir a resistência de folha do poly e das regiões n+ e p+.

43 Etapas de processo damasceno
As sequências Trincheira Cobrir a trincheira com óxido Polir o substrato para que o topo seja plano É chamado de processo damasceno. Foi este o processo que apresentamos aqui. O processo damasceno é utilizado mais comumente nas camadas metálicas. Trincheiras são formadas nos isolantes, cobre é depositado e o topo do wafer é polido para ficar plano O nome vem de um processo de fabricação de espadas com detalhes de ouro ou prata inventado na cidade de Damasco – Síria.

44 Leiaute de um NMOS Sempre que a camada poly cobre a camada ativa, temos um MOSFET! Dispositivo de 4 terminais. Corpo conectado ao terra. Dreno e fonte são equivalentes.

45 Leiaute de um PMOS Sempre que a camada poly cobre a camada ativa, temos um MOSFET! Dispositivo de 4 terminais. Corpo conectado ao VDD. Dreno e fonte são equivalentes.

46 Simbolos de MOSFET Canal-p Canal-n JFET MOSFET intensificação
Sem corpo MOSFET depleção MOSFET depleção Sem corpo

47 Camadas sobrepostas! Não é problema desde que passe no DRC.
Célula padrão Standard cell frame Célula conveniente para fazer as ligações de terra e VDD, de substrato e poço. Utilizando diversas células padrão em conjunto As células padrão tem altura definida. O acoplamento delas aumenta a área de leiaute lateralmente. Note o acoplamento das conexões de alimentação, terra, poços-n e substrato. Camadas sobrepostas! Não é problema desde que passe no DRC.

48 Proteção de descarga eletrostática
Circuito de proteção Se o sinal aplicado está entre VDD e 0V, nenhum dos dois diodos conduzem. Esta adição de componentes não altera o funcionamento normal do circuito. Se o sinal for maior que VDD + 0.5V ou menor que V, os diodos conduzem e fornecem um curto para que a tensão no GOX não seja excessiva.

49 Diodos de proteção Mais realista
Conexões próximas para minimizar a resitência em série parasítica Áreas dos diodos é grande Erro na figura! O pad sempre é feito do último metal! A figura desenhou o pad com metal1 É uma boa prática pegar os pads diretamente com o fabricante CMOS. Download no site da MOSIS

50 Packaging O packaging (empacotamento) é a etapa final que vai conectar o bonding pad e, consequentemente o circuito CMOS, ao mundo exterior.

51 Resistores, capacitores e MOSFETs
Já vimos todas as camadas (máscaras) responsáveis pelo processamento de dispositivos. Neste momento, veremos em mais detalhes os leiautes de resistores, capacitores e MOSFETs.

52 Resistores Os valores dos resistores e capacitores em um processo CMOS são dependentes da temperatura e da tensão (~10-6/oC). Coeficiente de temperatura R aumenta com a T  Coeficiente de temperatura de primeira ordem TCR1 também varia com a temperatura!

53 Resistores Elemento unitário
Vantagens em utilizar elementos unitários: Precisão sobre uma alta faixa de temperatura Evitar erros devido aos cantos da serpentina Variação da resistência nominal não afeta a tensão num divisor de tensão

54 Resistores Guard ring Todo circuito de precisão está sujeito a ruídos do substrato (corrnete em circuitos adjacentes influenciando os vizinhos) Guard ring num resistor O guard ring (implantação de p+ entre os circuitos) é um método simples de reduzir o ruído. Mantém o potencial em volta do circuito Protege o circuito de injeção de portadores indesejadas vindas do substrato.

55 Resistores Leiaute common-centroid (centro comum) vs. interdigitated
Resistor A teria 20W e B teria 16W Resistor A teria 18W e B teria 18W. Melhor casamento entre os resistores

56 Resistores Elementos dummy (falso, postiço)
Difusão desigual devido a variações de concentração de dopantes levaria a um descasamento entre elementos. O elemento dummy não tem função elétrica nenhuma, ele é normalmente aterrado ou ligado ao VDD em vez de ficarem flutuando.

57 Capacitores Parasíticos
A maior capacitância parasítica é a entre o poly1 e o substrato (bottom plate parasitic –parasítico da placa inferior). Pode chegar a 20% do valor de capacitância desejado entre poly1 e poly2.

58 Capacitores Dependência com tensão e temperatura
Coeficiente de temperatura: Coeficiente de tensão:

59 MOSFET Difusão lateral
O dopante difunde lateralmente criando um MOSFET de comprimento Leff

60 MOSFET A implantação LDD (lightly doped drain) é feita para minimizar a difusão lateral. Depois da LDD é feita a deposição de um espaçador e só então a dopagem p+ ou n+ é realizada. Reveja aula 10!

61 MOSFET Oxide encroachment (invasão do óxido)
O óxido invade a região ativa e reduz a área do transistor. Para compensar, o leiaute pode ser aumentado antes de fazer a máscara que define a região ativa.

62 MOSFET Resistência parasítica de fonte e dreno
O comprimento da região ativa aumenta a resistência parasítica em série com o MOSFET, determinada pelo número de quadrados na fonte (NRS) e dreno (NSD) NRS = comprimento da fonte / largura da fonte Resistência de folha incluída no modelo SPICE como srh (confira o valor no processo C5)

63 MOSFET Large-Width (Largura larga)
O que está faltando neste leiaute para construir um MOSFET real? A largura é obtido pela interseção entre o poly e a região ativa. (perpendicular ao sentido da corrente) Conexão em paralelo Largura total é a soma das larguras

64 MOSFET A mesma abordagem pode ser feita para aumentar o comprimento do MOSFET Nomenclatura 10/2 comprimento largura Conexão em série

65 MOSFET Capacitância parasítica
As capacitância parasíticas dependem da área da regíão ativa. Num desenho com números pares de capacitores, a região ativa de um terminal é maior que a do outro. Neste desenho, a área do S é maior que a do D.

66 MOSFET Capacitância parasítica
Para obter boa resposta a altas frequências, é desejado que a capacitância maior seja aterrada (para NMOS) ou conectada ao VDD (PMOS) Maior capacitância

67 Exemplos de leiautes Resistores de polisilício R-2R resistor string
Conversor digital analógico Leiaute mínimo (área mínima)

68 Modelos para projetos digitais
Após ver alguns detalhes da fabricação dos MOSFETs, agora veremos modelos que utilizaremos em designs digitais De uma forma simples, o MOSFET é analisado em projetos digitais como uma chave logicamente controlada.

69 Modelo de MOSFET digital
Resistência de chaveamento efetiva Modelo inicial para um MOSFET chaveando Limitação desse modelo: Consideração feita que o tempo de subida e de descida é zero. O ponto que define a chave aberta e fechada é bem definido. Usado para cálculo a mão, apresentam resultados dentro de um fator de dois do resultado obtido por simulação ou pela experiência.

70 Modelo de MOSFET digital
Efeitos Capacitivos Adicionando efeitos das capacitâncias no modelo Modelo melhorado

71 Tempo de transição e de atraso
Relembrando

72 Projeto digital Por que NMOS e PMOS têm tamanhos diferentes?
Casamento da resistência de chaveamento efetiva

73 MOSFET pass gate NMOS é bom para passar sinal lógico 0
NMOS não é bom para passar sinal lógico 1

74 MOSFET pass gate Em uma análise complementar, observamos que
PMOS não é bom para passar sinal lógico 0 PMOS é bom para passar sinal lógico 1

75 Atraso num pass gate Capacitância na entrada Capacitância na saída
Podemos estimar o atraso pela capacitância de saída:

76 Transmission gate Acoplar um NMOS e um PMOS Desvantagens:
Aumento de área utilizada no leiaute Dois sinais de controle

77 Inversor CMOS Bloco de construção fundamental para a circuitos digitais A dissipação de potência estática do inversor é praticamente zero! O NMOS e o PMOS podem ser projetados para ter as mesmas características O gatilho de chaveamento lógico pode ser alterado com o tamanho dos MOSFETs

78 Inversor CMOS Características DC
Característica de transferência de tensão Pontos A e B definidos pela inclinação da reta igual a -1 Ventrada < VIL  estado lógico 0 na entrada Ventrada > VIH  estado lógico 1 na entrada VIL < Ventrada < VIH  não tem estado lógico definido Situação ideal  VIH - VIL = 0

79 Inversor CMOS Ponto de chaveamento do inversor (VSP)
Os dois transistores estão na região de saturação e a mesma corrente passa por eles

80 Características de chaveamento
Vamos examinar as capacitâncias e resistências parasíticas do inversor Tempos de atraso Se o inversor estiver conectado a uma carga capacitiva:

81 Ring oscillator Vimos que existe um atraso na propagação de sinal em uma porta inversora. O que acontece se ligarmos um número impar de portas inversoras em sequência e alimentarmos a saída da última na entrada da primeira?

82 Inversor Dissipação de potência dinâmica
Aplicando um pulso quadrado de período T e frequência fclk na entrada, a corrente média que o inversor tem que puxar da fonte VDD é A potência total é

83 Leiaute do inversor Latch-Up

84 Leiaute do inversor Evitando Latch-Up
Reduzir as resistência RW1 e RW2 Melhor método para reduzir latch-up RW1 e RW2 dependem da distância entre o contato de poço e de substrato Quanto mais próximos, menor a probabilidade de ocorrer latch-up Quanto mais contatos, melhor também Célula padrão para evitar latch-up