RD vgs VGS UERJ – FEN – DETEL

Slides:



Advertisements
Apresentações semelhantes
Comportamento de um transistor MOS - NMOS
Advertisements

Interruptor Eletrônico Controlado por Som
Análise do transistor lembrando iC = ß * iB IC =  * IE
Maurício Cagy Programa de Engenharia Biomédica (PEB)
Prof. Marcelo de Oliveira Rosa
Transistor de Efeito de Campo MOS (MOSFET) – Parte I
Transistor Bipolar de Junção TBJ – Parte VI
Transistor Bipolar de Junção TBJ
Transistor Bipolar de Junção TBJ – Parte II
Prof. Marcelo de Oliveira Rosa
Prof. Marcelo de Oliveira Rosa
Prof. Marcelo de Oliveira Rosa
PSI 2223 – Introdução à Eletrônica Programação para a Terceira Prova
PSI 2223 – Introdução à Eletrônica Programação para a Terceira Prova
PSI 2223 – Introdução à Eletrônica Programação para a Terceira Prova
Amplificadores Operacionais
4ª Aula: O Diodo Real e o Modelo para Pequenos Sinais
Objetivos Específicos
Configurações básicas TJB - revisão
Aula 9 By: Abraham Ortega
O amplificador em emissor comum com uma resistência no emissor (4)
Diodos – Parte III Jadsonlee da Silva Sá
Transistor de Efeito de Campo MOS (MOSFET) – Parte III
Transistor Bipolar de Junção TBJ – Parte V
Transistor de Efeito de Campo MOS (MOSFET) – Parte II
Transistor Bipolar de Junção TBJ – Parte IV
Amplificadores Operacionais
Amplificadores Operacionais Parte III
O TJB como amplificador Livro texto, item 4.7.
Técnico/a de Eletrónica, Automação e Computadores Retificação
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
Associação de Resistores
Analise de Circuitos em Corrente Alternada - Ed. Erica
Modelo básico de um amplificador FONTE: deas. harvard
UNIVERSIDADE DE MOGI DAS CRUZES Curso: Engenharia Elétrica
Amplificadores Operacionais Aula 15
Eletricidade Aula 11 Lei de Ohm
TRANSISTORES BIPOLARES
 Impedância de entrada e impedância de saída  Ganho finito e tensões de saturação  Erros de polarização: tensão e desvio (offset) e correntes de polarização.
UERJ – FEN – DETEL Primeira prova de Eletrônica II /01 – Turmas 3 e 4
Circuitos Elétricos 2 Circuitos Elétricos Aplicados
AMPLIFICADORES LINEARES A TBJ
Germano Maioli Penello
Germano Maioli Penello
UERJ – FEN – DETEL Segunda prova de Eletrônica II /01 – Turmas 3 e 4
AMPLIFICADORES DIFERENCIAIS
Germano Maioli Penello
Circuitos Básicos a Transistor Bipolar
Germano Maioli Penello
Germano Maioli Penello
Germano Maioli Penello
1 Eletrônica II Germano Maioli Penello Aula 05 II_ html.
1 Eletrônica II Germano Maioli Penello Aula 06 II _ html.
Germano Maioli Penello
Germano Maioli Penello
Eletrônica II Germano Maioli Penello Aula 03
Germano Maioli Penello
Germano Maioli Penello
Germano Maioli Penello
1 11 Eletrônica II Germano Maioli Penello II _ html Aula 15.
Germano Maioli Penello
Eletrônica Aula 06 CIN-UPPE
Fontes de Alimentação CIN - UFPE.
11 Eletrônica II Germano Maioli Penello II _ html Aula 12.
Eletrônica Aula 07 CIN-UPPE
Germano Maioli Penello
Eletrônica Aula 04 CIN-UPPE
1 Eletrônica II Germano Maioli Penello II _ html Aula 17.
Eletrônica Analógica II
Prof. Gustavo Fernandes de Lima
Transcrição da apresentação:

RD vgs VGS UERJ – FEN – DETEL Primeira prova de Eletrônica II - 2015/01 – Turmas 3 e 4 Data: Nome: 1 – Determine as tensões V1 e V2 para o circuito abaixo. Os transistores NMOS são todos idênticos com Vt = 1V e k´nW/L = 2 mA/V2. Considere que l=0. V1 V2 1KW +10V -5V +5V 2 – O MOSFET do circuito abaixo possui Vt = 2V, kn = 1 mA/V2, VGS = 4V, VDD = 10V e RD = 3.6kW. (a) Calcule ID e VD(considere l = 0) (b) Calcule gm no ponto de polarização (considere l = 0) (c) Calcule o ganho de tensão (d) Se o MOSFET tem l = 0.01 V-1, determine ro no ponto de polarização e calcule o ganho de tensão. RD vgs - + VGS 3 – O MOSFET no circuito abaixo tem Vt = 1.2 V, l=0, k´n = 80 mA/V2, W = 240mm e L = 6mm. A corrente de dreno é de 2 mA e a queda de tensão nos resistores RD e RS é de um terço da tensão total. Determine os valores das resistências. Use um resistor de 22MW para o resistor de maior resistência entre RG1 e RG2. Quanto a tensão de dreno pode variar ainda mantendo o MOSFET na saturação? RD RS RG1 RG2 +15V Desejamos utilizar este circuito de polarização na configuração de dreno comum. (c) Redesenhe o circuito incluindo a fonte de tensão ac (despreze a resistência interna da fonte de sinal ac) e a resistência de carga RL. Inclua os capacitores de desacoplamento no seu desenho. (d) Determine a resistência de entrada (e) Determine a resistência de saída

4 – Um amplificador de porta comum construído com um MOSFET tipo intensificação e com RD = 5 KW é alimentado por uma fonte de tensão alternada com resistência interna de 100W. Considere que a carga tem uma resistência RL = 1kW. Desenhe o modelo de circuito equivalente na aproximação de pequenos sinais para esta configuração (Escolha o modelo que você achar mais conveniente). Inclua RL no seu desenho e considere que l = 0 e gm = 5 mA/V. Determine a resistência de entrada do amplificador. Determine a resistência de saída do amplificador. Determine o ganho de tensão total (Gv). Se aumentarmos a corrente do circuito por um fator 4 (mantendo o transistor em operação linear), determine: (e) a nova transcondutância gm (f) a resistência de entrada (g) a resistência de saída (h) o ganho de tensão total (Gv) Formulário A resolução pode ser feita a lápis, mas as respostas devem ser apresentadas a caneta. Coloque seu nome em todas as folhas de prova. É permitido o uso de calculadora científica. Boa prova!

V1 V2 1KW +10V -5V +5V