Germano Maioli Penello

Apresentação em tema: "Germano Maioli Penello"— Transcrição da apresentação:

1 Germano Maioli Penello
Eletrônica II Germano Maioli Penello II _ html Aula 04

2 Revisão – aula passada É comum ter situações temos um sinal de baixa intensidade (mV ou mV). O processamento desses sinais seria muito mais simples se a intensidade fosse maior. Este é um dos exemplos da necessidade de se desenvolver circuitos amplificadores.

3 Amplificador - linearidade
A = 1 (inclinação da reta) Distorções não lineares v0(t) = A vi(t) + B vi(t)2 + C vi(t)3 + …

4 Modelo de circuito Independente da complexidade do amplificador, podemos modelar o seu funcionamento olhando apenas para os terminais de entrada e saída. ?

5 Parâmetros importantes
Resistência (impedância) de entrada Resistência (impedância) de saída Ganho do amplificador

6 Modelo de circuito Independente da complexidade do amplificador, podemos modelar o funcionamento do amplificador olhando apenas para seus terminais de entrada e saída. Ganho total de tensão

7 Cascata de amplificadores
Idealmente, só precisamos de um amplificador perfeito. Alto ganho, alta impedância de entrada e baixa impedância de saída. Não é possível projetar um amplificador ideal! As impedâncias de entrada, de saída e o ganho de um amplificador são correlacionados. Precisamos acoplar diversos amplificadores para otimizar o circuito final.

8 Largura de banda Se medirmos a função de transferência em função de w, obtemos o gráfico abaixo: Resposta em amplitude do amplificador Largura de banda é definida como a faixa de frequência em que a resposta em amplitude é constante dentro de 3 dB (~0.707).

9 Classificação de amplificadores
Baseado apenas na largura de banda Acoplado capacitivamente (amplificador AC) Diretamente acoplado (amplificador DC) Passa-banda (filtro passa-banda)

10 Transistores Dispositivo de 3 terminais – muito mais versáteis que o diodo (dispositivo de 2 terminais). Podem ser usados tanto em amplificação de sinal como em lógica digital e memória. Ex. de aplicação: controlar a corrente que passa por dois terminais a partir de uma tensão em outro terminal (fonte de corrente controlada por tensão)

11 Transistores Dispositivo de 3 terminais – muito mais versáteis que o diodo (dispositivo de 2 terminais). Podem ser usados em amplificação de sinal a lógica digital e memória. Ex. de aplicação: controlar a corrente que passa por dois terminais a partir de uma tensão em outro terminal (fonte de corrente controlada por tensão) Chaveamento - sinal de controle faz com que a corrente varie entre zero e um valor elevado, como uma chave que liga e desliga o circuito. Amplificação – sinal de controle (baixa intensidade) gera uma corrente de maior intensidade que reproduz o próprio sinal de controle (Amplificação linear).

12 Transistores Dois tipos principais:
Transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET) Transistor bipolar de junção (BJT)

13 Transistores Dois tipos principais:
Transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET) Transistor bipolar de junção (BJT) O MOSFET se tornou muito mais utilizado que o BJT em circuitos eletrônicos, especialmente em projetos de circuitos integrados (ex. Microprocessadores). Comparado ao BJT, o MOSFET pode ser fabricado em dimensões reduzidas e o seu processo de manufatura é relativamente simples (Curso de microeletrônica). Opera comparativamente em baixa potência e pode ser utilizado tanto em circuitos analógicos quanto digitais. Cada processador atualmente contém da ordem de 2.5 bilhões de transistores! O MOSFET é um dos dispositivos mais fabricado na história raça humana.

14 MOSFET

15 MOSFET Atualmente, não se utiliza mais metal na porta do MOSFET. O Acrônimo não é precisamente correto! Um melhor acrônimo utilizado é IGFET (FET de porta isolada). Não nos preocuparemos com este detalhe ao longo do curso, utilizaremos o nome MOSFET tendo isto em mente. Note no desenho anterior que o MOSFET é um dispositivo de 4 terminais! Ao conectar o terminal corpo no terminal fonte, fazemos com que as junções pn com o substrato não influenciem o funcionamento do dispositivo e, assim, podemos analisar o MOSFET como um dispositivo de 3 terminais. Tensão aplicada na porta controla o fluxo de corrente entre a fonte e o dreno. As dimensões de largura (W) e comprimento (L) são importantes para denominar MOSFETs de canal curto ou longo. Analisaremos neste curso, MOSFETs de canal longo.

16 MOSFET - funcionamento

17 MOSFET - funcionamento
Tipo intensificação Observe os seguintes pontos no aplicativo anterior (MOSFET de canal n ou NMOS): Tensão de gatilho (threshold voltage) Tensão overdrive Camada de inversão (canal-n) Relação entre iDS e vGS Relação entre iD e vDS

18 MOSFET - funcionamento
Tipo intensificação Observe os seguintes pontos no aplicativo anterior (MOSFET de canal n ou NMOS): Tensão de gatilho (threshold voltage) Tensão overdrive Camada de inversão (canal-n) Relação entre iDS e vGS Relação entre iD e vDS Baixo vDS – relação linear Alto vDS – saturação

19 MOSFET - funcionamento
Como explicar as correntes observados no MOSFET?

20 MOSFET - funcionamento
Como explicar as correntes observados no MOSFET? Para pequenos valores de vDS

21 MOSFET - funcionamento
Como explicar as correntes observados no MOSFET? Para pequenos valores de vDS Relação linear entre vDS e iD

22 MOSFET - funcionamento
Como explicar as correntes observados no MOSFET? Para pequenos valores de vDS Parâmetro de transcondutância do processo Depende de como o MOSFET foi construído! Óxido utilizado Mobilidade do elétron Razão entre largura e comprimento do canal k’n = mnCox Parâmetro de transcondutância do MOSFET kn = (mnCox)(W/L)

23 MOSFET - funcionamento
Como explicar as correntes observados no MOSFET? Para pequenos valores de vDS kn = (mnCox)(W/L)

24 MOSFET - funcionamento
Como explicar as correntes observados no MOSFET? A medida que vDS aumenta iD é relacionado com vDS com um termo linear e um termo parabólico com concavidade para baixo.

25 MOSFET - funcionamento
Como explicar as correntes observados no MOSFET? vDS  VOV iD independe de vDS (isto é uma primeira aproximação, veremos mais adiante que existe uma pequena relação entre eles)

26 MOSFET - funcionamento
Com esta análise, começamos a entender o funcionamento do MOSFET

27 PMOS Faça a análise do PMOS

28 CMOS Com o avanço da tecnologia, conseguiu-se fabricar dispositivos NMOS e PMOS em um mesmo substrato. A esta tecnologia, damos o nome de CMOS (MOS complementar).

29 Símbolo de circuito Fonte Dreno Porta Porta Fonte Dreno
MOSFET de canal n (Tipo intensificação) MOSFET de canal p (Tipo intensificação)

30 Símbolo de circuito Espaço indica o isolamento (óxido) na porta
Seta indica a direção da corrente convencional (elétrons no sentido contrário)

31 Canal n – características IxV

32 Canal n – características IxV
Repetiremos aqui a mesma análise feita anteriormente.

33 Canal n – características IxV
 ??

34 Canal n – características IxV


35 Canal n – características IxV

36 Canal n – características IxV
(Triodo) (saturação)

37 Canal n – características IxV
(Triodo) Equivalentes (saturação)

38 Canal n – características IxV
(Trido) Equivalentes (saturação)

39 Canal n – características IxV
(Trido) Equivalentes (saturação) Equivalentes

40 Canal n – características IxV
(Trido) Equivalentes (saturação) Equivalentes

41 Canal n – características IxV

42 MOSFET – modelo de circuito equivalente
Na região de saturação, podemos modelar o MOSFET como uma fonte de corrente controlada por tensão Por que iG = 0?

43 MOSFET – modelo de circuito equivalente
Na região de saturação, podemos modelar o MOSFET como uma fonte de corrente controlada por tensão Por que iG = 0? Este ainda não é o melhor modelo! Veremos adiante um modelo um pouco melhor.

44 MOSFET – melhor aproximação na região de saturação
Na realidade, a corrente iD dpende de vDS na região de saturação iD = vDS / ro

45 MOSFET – melhor aproximação na região de saturação
Corrente iD dpende de vDS iD = vDS / ro Este fenômeno é explicado pela modulação do comprimento do canal. Ele depende da tecnologia de processamento e é proporcional ao comprimento de canal (L) do MOSFET. ro é chamado de resistência de saída.

46 MOSFET – modelo de circuito equivalente
Na região ativa, podemos modelar o MOSFET como uma fonte de corrente controlada por tensão No caso ideal, ro   (Se ro   voltamos exatamente ao modelo proposto no slide 42 )

47 MOSFET - amplificador Para ser usado como amplificador, o MOSFET deve operar na região de saturação. Desta maneira, ele opera como uma fonte de corrente constante com o valor da corrente determinado por vGS (independe de vDS)

48 Exemplo 1 Projete o circuito abaixo de tal maneira que o transistor opere com ID = 0.4 mA e VD = 0.5V. Características do transistor: Vt = 0.7V, k’ = 100 mA/V2, L = 1mm e W = 32 mm. Despreze o efeito de modulação de comprimento de canal (l=0)

49 Exemplo 1 Projete o circuito abaixo de tal maneira que o transistor opere com ID = 0.4 mA e VD = 0.5V. Características do transistor: Vt = 0.7V, k’ = 100 mA/V2, L = 1mm e W = 32 mm. Despreze o efeito de modulação de comprimento de canal (l=0) 1º passo: Determinar RD 2º passo: Determinar a região de operação do MOSFET. Triodo ou saturação? VDS maior ou menor que VOV? Ou de forma equivalente, VGD maior ou menor que Vt? 3º passo: usar a equação que relaciona iD com VOV ou VDS dependendo da região. 4º passo: calcular Rs

50 Exemplo 1 Projete o circuito abaixo de tal maneira que o transistor opere com ID = 0.4 mA e VD = 0.5V. Características do transistor: Vt = 0.7V, k’ = 100 mA/V2, L = 1mm e W = 32 mm. Despreze o efeito de modulação de comprimento de canal (l=0)

51 Exemplo 1 Projete o circuito abaixo de tal maneira que o transistor opere com ID = 0.4 mA e VD = 0.5V. Características do transistor: Vt = 0.7V, k’ = 100 mA/V2, L = 1mm e W = 32 mm. Despreze o efeito de modulação de comprimento de canal (l=0)

52 Exemplo 1 Projete o circuito abaixo de tal maneira que o transistor opere com ID = 0.4 mA e VD = 0.5V. Características do transistor: Vt = 0.7V, k’ = 100 mA/V2, L = 1mm e W = 32 mm. Despreze o efeito de modulação de comprimento de canal (l=0)

53 Exemplo 1 Projete o circuito abaixo de tal maneira que o transistor opere com ID = 0.4 mA e VD = 0.5V. Características do transistor: Vt = 0.7V, k’ = 100 mA/V2, L = 1mm e W = 32 mm. Despreze o efeito de modulação de comprimento de canal (l=0)

54 Exemplo 1 Projete o circuito abaixo de tal maneira que o transistor opere com ID = 0.4 mA e VD = 0.5V. Características do transistor: Vt = 0.7V, k’ = 100 mA/V2, L = 1mm e W = 32 mm. Despreze o efeito de modulação de comprimento de canal (l=0)

55 Exemplo 1 Projete o circuito abaixo de tal maneira que o transistor opere com ID = 0.4 mA e VD = 0.5V. Características do transistor: Vt = 0.7V, k’ = 100 mA/V2, L = 1mm e W = 32 mm. Despreze o efeito de modulação de comprimento de canal (l=0)

56 Exemplo 1 Projete o circuito abaixo de tal maneira que o transistor opere com ID = 0.4 mA e VD = 0.5V. Características do transistor: Vt = 0.7V, k’ = 100 mA/V2, L = 1mm e W = 32 mm. Despreze o efeito de modulação de comprimento de canal (l=0)

57 Exemplo 1 Projete o circuito abaixo de tal maneira que o transistor opere com ID = 0.4 mA e VD = 0.5V. Características do transistor: Vt = 0.7V, k’ = 100 mA/V2, L = 1mm e W = 32 mm. Despreze o efeito de modulação de comprimento de canal (l=0)

58 Exemplo 2 Projete o circuito abaixo de tal maneira que o transistor opere na região de saturação com ID = 0.5 mA e VD = 3.0V. Características do transistor: Vt = -1V, k’(W/L) = 1 mA/V2. Despreze o efeito de modulação de comprimento de canal (l=0). Qual o maior valor de RD que mantém a operação do transistor em saturação?

59 Exemplo 2 Projete o circuito abaixo de tal maneira que o transistor opere na região de saturação com ID = 0.5 mA e VD = 3.0V. Características do transistor: Vt = -1V, k’(W/L) = 1 mA/V2. Despreze o efeito de modulação de comprimento de canal (l=0). Qual o maior valor de RD que mantém a operação do transistor em saturação? 1º passo: usar a equação que relaciona iD com VOV. 2º passo: calcular VSG 3º passo: Calcular RD 4º passo: determinar RG1 e RG2

60 Exemplo 2 Projete o circuito abaixo de tal maneira que o transistor opere na região de saturação com ID = 0.5 mA e VD = 3.0V. Características do transistor: Vt = -1V, k’(W/L) = 1 mA/V2. Despreze o efeito de modulação de comprimento de canal (l=0). Qual o maior valor de RD que mantém a operação do transistor em saturação?

61 Exemplo 2 Projete o circuito abaixo de tal maneira que o transistor opere na região de saturação com ID = 0.5 mA e VD = 3.0V. Características do transistor: Vt = -1V, k’(W/L) = 1 mA/V2. Despreze o efeito de modulação de comprimento de canal (l=0). Qual o maior valor de RD que mantém a operação do transistor em saturação?

62 Exemplo 2 Projete o circuito abaixo de tal maneira que o transistor opere na região de saturação com ID = 0.5 mA e VD = 3.0V. Características do transistor: Vt = -1V, k’(W/L) = 1 mA/V2. Despreze o efeito de modulação de comprimento de canal (l=0). Qual o maior valor de RD que mantém a operação do transistor em saturação? RG1 e RG2 agem como um divisor de tensão para VDD. Podemos escolher qualquer valor de resistência que diminua a tensão de porta para 3V.

63 Exemplo 2 Projete o circuito abaixo de tal maneira que o transistor opere na região de saturação com ID = 0.5 mA e VD = 3.0V. Características do transistor: Vt = -1V, k’(W/L) = 1 mA/V2. Despreze o efeito de modulação de comprimento de canal (l=0). Qual o maior valor de RD que mantém a operação do transistor em saturação?

64 Exemplo 2 Projete o circuito abaixo de tal maneira que o transistor opere na região de saturação com ID = 0.5 mA e VD = 3.0V. Características do transistor: Vt = -1V, k’(W/L) = 1 mA/V2. Despreze o efeito de modulação de comprimento de canal (l=0). Qual o maior valor de RD que mantém a operação do transistor em saturação? A saturação é mantida quando VDG < |Vt|. Caso VD – VG > |Vt|, estamos fora da região de saturação.

65 Exemplo 2 Projete o circuito abaixo de tal maneira que o transistor opere na região de saturação com ID = 0.5 mA e VD = 3.0V. Características do transistor: Vt = -1V, k’(W/L) = 1 mA/V2. Despreze o efeito de modulação de comprimento de canal (l=0). Qual o maior valor de RD que mantém a operação do transistor em saturação? A saturação é mantida quando VDG < |Vt|. Caso VD – VG > |Vt|, estamos fora da região de saturação. RD não pode ser maior que 8kW.