Phase 1 – Search for prospective collaborations, Visits Workshops Nano-objects Magnetic Nanostructures Nanostructured Semiconductors Nanostructured Materials Theoretical Modelling of Nanostructured Materials Phase 2 – Support of specific projects, st call for proposals with well-defined focus 7 projects were selected: Nano-objects [M Pimenta et al.] Self-assembled quantum dots [GM Ribeiro et al.] Structure and magnetism of epitaxial 3d metals [WA Macedo et al.] Study of Nanosystems by Magnetic Circular Dichroism (MCD) with synchrotron light [AR Brito et al.] Nitrogen-incorporated high-k dielectrics [IJR Baumvol et al.] Novel system of spin injection in nanostrucured semiconductors [WN Rodrigues et al.] Self-organized quantum dots [R Prioli et al.] 2 nd call for proposals (to be announced)

Effects of interaction between carbon nanotubes and organic molecules Marcos A. Pimenta (Coord.), UFMG, UFRJ, CDTN/CNEN, LNLS Pilares de silicio preparados por litografia eletrônica para sustentar nanotubos Deposição de nanotubos sobre substratos funcionalizados Profile of publications by team members since 2001: 1 Nature 1 Science 7 PRL 6 APL 26 PRB (...) I. Nano-objects

Nanofios Semicondutores Auto-sustentados Objetivos Crescimento catalítico de nanofios auto-sustentadas. Estudar heteroestruturas 1D auto- sustentadas Estudar nanodispositivos optoeletrônicos e eletromêcanicos baseados em nanofios. Desenvolver e estudar bio- sensores. Nanofios auto-sustentados PL de um nanofio Nanomanipulação de NF Heteroestrutura 1D auto-sustentada E = 95 GPa  r =1.5 MHz Q = 890 Propriedades mecânicas de nanofios

Laboratório de Nanofabricação Objetivos Implementar estrutura de nanofabricação. Fabricar e estudar nanodispositivos a partir de gases de elétrons 2D e nanotubos de carbono. Desenvolver técnicas de funcionalização para deposição seletiva de nanotubos de carbono. Litografia ótica / Litografia por feixe eletrônico. Corrosão por plasma de íons reativos. Estudo de interferômetros eletrônicos (anéis de Aharonov-Bohm). Bombeamento de spins em pontos quânticos. Contatos elétricos em nanotubos isolados. Transporte elétrico em nanofios auto-organizados Interferômetro eletrônicoPilares para crescimento de Nanotubos suspensos Transporte Elétrico em nanofios (Mônica Cotta – Unicamp) Ponto Quântico para estudos de bombeamento adiabático de cargas e spin.

V. Nitrogen Incorporation to High-k Alternative (to SiO 2 ) Dielectrics MOSFET devices: x A Further integration: A  0 while keeping C ~ constant  over last 30 years: x  0; however, tunnelling effects more pronounced: e.g., runaway currents recent possibilities: increase k (c.f., k SiO2  4) by N incorporation: SiO 2 replaced by SiO x N y as gate dielectric allows x equival = x phys k oxide /k oxynitride  2 x phys or new high-k dielectrics: AlO 2 (k=12), ZrSiO (k = 10-16), HfSiO (k = 12-18), HfO 2 (k = 20) IJR Baumvol (coord.): UFRGS, USP, PUC/Rio, UFMG

Aim: Detailed study of N incorporation into high-k oxides routes to incorporation atomic transport and thermal stability of N chemical status (solid solution? composites?) and its relation with measured k values N  O exchange mechanisms in an O-rich atmosphere Profile of publications by team members since 2001: 9 PRL 13 APL 21 PRB (...)