Exemplo 10.4 (pág. 985) O interruptor NMOS da figura foi fabricado numa tecnologia caracterizada por µ n C ox =2,5 µ p C ox =50 µA/V 2, |V t0 |=1 V, 

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1 Exemplo 10.4 (pág. 985) O interruptor NMOS da figura foi fabricado numa tecnologia caracterizada por µ n C ox =2,5 µ p C ox =50 µA/V 2, |V t0 |=1 V,  =0,5 V 1/2, 2  f =0.6 V e V DD =5 V. As dimensões mínimas dos transistores desta tecnologia são 4  m/2  m e a capacidade total entre o nó de saída e a massa é de C=50 fF. a)Quando v I =“HIGH” qual o valor de V OH ? b)Se a saída estiver ligada a um inversor CMOS com (W/L) p =2,5 (W/L) n =10  m/2  m, determine a corrente estática do inversor e a dissipação de potência quando a entrada estiver no valor determinado na alínea anterior. c)Determine t PLH d)No caso em que v I vai para “LOW” (fig.b) determine t PHL e)Determine t P

2 Exemplo 11.1 (pág. 1017) O flip-flop SR da figura foi fabricado numa tecnologia caracterizada por µ n C ox =2,5 µ p C ox =50 µA/V 2, V tn =|V tp |=1 V, e V DD =5 V. Os inversores têm (W/L) n =4  m/2  m e (W/L) p =10  m/2  m. Os quatro transistores NMOS do circuito de set-reset têm o mesmo rácio W/L. Determine o valor mínimo requerido para esse rácio de modo a assegurar que o flip-flop comute.

3 Exercício 11.1 (pág. 1018) Repita o exemplo 11.1 para determinar o mínimo requerido para (W/L) 5 = (W/L) 6 para assegurar que o flip-flop comute quando as entradas S e  forem V DD /2.