1 Eletrónica CET - Electromedicina Capítulo 3 – Transistores BJT e Mosfet António Roque/Luis Verissimo - Ano lectivo 2012/2013 CET - Electromedicina

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3 Fluxos de corrente num transístor npn operando na ZAD (Zona ativa direta) A junção Emissor/Base é directamente Polarizada A junção Base/Colector é inversamente polarizada E de portadores minoritários (buracos) da base para o emissor A soma destes dois fluxos conduz à corrente de emissor IE. A polarização directa da junção base/emissor causa um fluxo de portadores maioritários (electrões) da região n para a região p

4António Roque/Luis Verissimo - Ano lectivo 2012/2013 CET - Electromedicina Fluxos de corrente num transístor pnp operando na ZAD (Zona ativa direta) O transístor PNP opera de forma semelhante ao descrito para o transístor NPN A tensão V EB polariza diretamente a junção EB. A tensão V BC polariza inversamente a junção CB No transístor PNP as correntes são sobretudo devidas a correntes de buracos As correntes de difusão de eletrões livres da base para o emissor são muito pequenas em comparação com as correntes de buracos em sentido contrário

5António Roque/Luis Verissimo - Ano lectivo 2012/2013 CET - Electromedicina Os sentidos de referência adotados para tensões e correntes aos terminais do transístor são escolhidos de tal modo que, para o funcionamento na zona ativa direta, as correntes são positivas. O funcionamento dos dois tipos de transístores é muito semelhante; quando se passa de um para outro, todos os resultados se mantêm se se trocarem os sentidos das tensões e correntes.

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7 Transístor de junção bipolar (NPN) (Equações - resumo) Zona Ativa Direta (ZAD)

8António Roque/Luis Verissimo - Ano lectivo 2012/2013 CET - Electromedicina Transístor de junção bipolar (NPN) (Equações - resumo) Zona saturação (ZS) Zona corte (ZC)

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19António Roque/Luis Verissimo - Ano lectivo 2012/2013 CET - Electromedicina Exercícios

20António Roque/Luis Verissimo - Ano lectivo 2012/2013 CET - Electromedicina Calcule I B, I C, V CE, V B, V C e V BC para os seguintes dados do circuito da Figura. R B = 240kΩ R C = 2,2kΩ V CC = 12V β= 50 Exercício 1

21António Roque/Luis Verissimo - Ano lectivo 2012/2013 CET - Electromedicina Analise o circuito da Figura e determine todos os parâmetros de polarização. Considere os seguintes valores: R B = 430kΩ R C = 2kΩ R E = 1kΩ V CC = 20V β= 50 Exercício 2

22António Roque/Luis Verissimo - Ano lectivo 2012/2013 CET - Electromedicina Exercício 3

23António Roque/Luis Verissimo - Ano lectivo 2012/2013 CET - Electromedicina Analise o circuito da figura e determine as tensões em todos os nós e as correntes em todos os ramos. Assuma  = 100 e V CE =0,7 V Atenção que o transistor agora é pnp! Exercício 4

24António Roque/Luis Verissimo - Ano lectivo 2012/2013 CET - Electromedicina Exercício 5, 6 e 7

25António Roque/Luis Verissimo - Ano lectivo 2012/2013 CET - Electromedicina MOSFET

26António Roque/Luis Verissimo - Ano lectivo 2012/2013 CET - Electromedicina O mecanismo de controlo de corrente é baseado no campo elétrico estabelecido pelo potencial aplicado no terminal de controlo (gate). A corrente no transístor de efeito de campo é devida tanto por eletrões como por buracos, dependendo do tipo de FET – trata-se de um dispositivo unipolar. O MOSFET – Transístor de Efeito de Campo Metal Óxido Semicondutor; o MOSFET tornou-se bastante popular a partir da década de 70; Comparado com o BJT, o MOSFET: Pode ser fabricado com dimensões bastante reduzidas; elevada escala de integração; Fácil fabricação; custos de fabrico mais reduzidos; Circuitos simples para lógica digital; Desempenho inferior em circuitos analógicos (ganho mais baixo); O Transístor de Efeito de Campo (FET)

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