CAP. 5 – DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES ESPECIAIS Além do diodo, transistor bipolar e transistor de efeito de campo (JFET e MOS-FET), diversos dispositivos semicondutores estão disponíveis para aplicações em eletrônica (de potência). Apresentaremos os seguintes: - UJT - SCR e GTO - DIAC - TRIAC - QUADRAC - Diodo Túnel - outros: - Diodo Four-layer - PUT - SCS - CSCR - SUS - SBS - RCT - SITH - GATH - LASCR
5.1 – Transistor de Unijunção UJT Apresenta duas camadas de três terminais: Emissor e duas Bases. Consiste de uma Barra de Silício fracamente dopada. O canal pode ser “N” ou “P”. Símbolo: Nota: o complementar desse dispositivo é com canal P.
5.1 – Transistor de Unijunção UJT Circuito equivalente: - considerando inicialmente VE = 0: VBB > VE (é condição de polarização). eD 0,6 volts Para IE = 0 => R1 + R2 = RBB , fornecida pelo fabricante. Para VE = 0, => V1 = VBB . R1 onde: R1+R2 R1 = = relação intrínseca de disparo, também fornecida pelo fabricante. R1 + R2 (0,5 a 0,75 geralmente)
5.1 – Transistor de Unijunção UJT Para VE > 0, temos o seguinte circuito equivalente: Análise: - Para VE < (eD +V1) => diodo cortado => IE = 0 - Para VE (eD +V1) => diodo conduzido => IE > 0 Com a condução, a corrente de Emissor (P) para as Bases (N), aumenta os portadores majoritários na Barra de Silício tipo “N”, diminuindo a resistividade da Barra (R1), o que caracteriza uma região de resistência negativa: I => V Com a diminuição de R1, V1 diminui, o que torna o diodo ainda mais polarizado, tendo como conseqüência um aumento de IE. Esse ciclo só será limitado por componentes externos. Dessa forma, pode-se dizer que na condição de VE (eD + V1), o UJT dispara.
5.1 – Transistor de Unijunção UJT Curva característica: VE X IE * : Região de corte => VE < VP **: Região de resistência negativa => região instável, passa direto para a região de saturação. ***: Região de saturação => VE VP VP e IP - valores de pico VV e IV - valores de vale VE sat e IE sat - valores de saturação (limitados por componentes externos).