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Bipolar Junction Transistor - BJT
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1. Estrutura do BJT
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2. Fabricação do BJT
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3. Modos de operação 4. Conexões em circuitos
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5. Correntes no transistor bipolar
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6. BJT como amplificador de corrente
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7. Parâmetros do transistor
α – Common base current gain β – Common emitter current gain γ – Emitter injection efficiency δ – Base transport factor
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9. Relações analíticas para as correntes
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10. Corrente de recombinação na base
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11. Modelo do Ebers-Moll
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Circuito equivalente do modelo do Ebers-Moll
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12. Expressões para os parâmetros do transistor
γ = IEp/IE – Emitter injection efficiency δ = ICp/IEp – Base transport factor α = γ.δ = ICp/IE – Common base current gain β = α/(1- α) – Common emitter current gain
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Limitações
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Aumento da corrente do coletor com VEC em regime ativo
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Multiplicação de portadores e ruptura
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Punchthrough
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Injeção baixa e ganho de corrente
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Injeção alta e efeito de Kirk na base
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Injeção alta na junção emissor-base
33
Chaveamento do transistor
34
Carga acumulada e tempo de transição
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Heterojunção e HBT
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