DISPOSITIVOS DE POTÊNCIA

Apresentação em tema: "DISPOSITIVOS DE POTÊNCIA"— Transcrição da apresentação:

1 DISPOSITIVOS DE POTÊNCIA

2 TRANSISTOR BIPOLAR DE POTÊNCIA
-NÃO SUPORTAM TENSÃO REVERSA. -APRESENTAM BAIXO GANHO: 2 A 20. - VCE sat DE 1V A 2V -FAIXA: 1400V -400A CONFIGURAÇÃO DARLINGTON: AUMENTA O GANHO (75 A 200), MAS DIMINUI A VELOCIDADE E AUMENTA O VCEsat(2V A 5V).

3 METAL OXIDE SEMICONDUTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR.
MOSFET OU IGFET: METAL OXIDE SEMICONDUTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR. INSULATED GATE FET 1-TIPOS: DEPLEÇÃO OU CANAL FECHADO E ENRIQUECIMENTO OU CANAL ABERTO 2-ESTRUTURA INTERNA :

4 CURVA CARACTERÍSTICA DO MOSFET DE DEPLEÇÃO CANAL N:
ASPECTOS IMPORTANTES: -JÁ EXISTE CORRENTE ID MESMO SEM TENSÃO NO GATE. -O SUBSTRATO É LIGADO À FONTE.

5 CURVA CARACTERÍSTICA DO MOSFET DE ENRIQUECIMENTO CANAL N
ASPECTOS IMPORTANTES: -SÓ COMEÇA CONDUZIR QUANDO A TENSÃO DE GATE ATINGE O LIMIAR. -APLICADOS NA CONFECÇÃO DE CI’s CMOS.

6 - A TENSÃO LIMIAR VTh FICA NA FAIXA DE 2V A 4V.
MOSFET DE POTÊNCIA -FAIXA: 1000V- 200A - 25MHz. -APRESENTA PERDA POR CAUSA DE RDS. -O CANAL N É O MAIS USADO POR SER: MAIS BARATO E POR TER MAIOR CONDUTIVIDADE. - A TENSÃO LIMIAR VTh FICA NA FAIXA DE 2V A 4V. -A TENSÃO VDS FICA NA ORDEM DE 4V.

7 ASPECTOS FÍSICOS

8 IGBT OU COMFET VANTAGENS
-INSULATED BIPOLAR TRANSISTOR. -CONDUCTIVITY MODULATED FIELD EFFECT TRANSISTOR. VANTAGENS -NÃO DISSIPA POTÊNCIA NO DISPARO PELO FATO DE NÃO ABSORVER CORRENTE ATRAVÉS DO GATE. É DISPARADO POR TENSÃO. -APRESENTA MENORES PERDAS QUANDO EM CONDUÇÃO.

9 SÍMBOLOS CANAL N: CANAL P:
FORMA DE DISPARO: QUANDO A TENSÃO VGE ULTRAPASSA O VGEth ( 2V A 5V). PARA SATURAR VGE DEVE FICAR NA FAIXA DE 10V FORMA DE CORTE: RETIRANDO A TENSÃO APLICADA ENTRE GATE E EMISSOR (VGE).

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12 VGEth: 4,5V a 7,5V

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14 PONTE INVERSORA TRIFÁSICA