Projeto de Processo e Dispositivos SUPREM e PISCES
Programas de CAD Simulação de processo: - SUPREM Simulação de dispositivos: - PISCES Reduz tempo de ajuste experimental e custo.
Fig.1
SUPREM Modelos de etapas de processo: –oxidação –difusão –implantação de íons –deposição de filmes: CVD e PVD –etching
SUPREM - cont. Descreve a estrutura em uma rede de pontos Resolve as equações dos modelos das etapas, versus parâmetros do processo: tempo, temperatura, ambiente, etc. Pode ser uni-, bi- ou tridimensional. Obtém-se a descrição física da estrutura do dispositivo.
Exemplo CCS1 Arquivo de entrada 1 dim –ver apostíla
Exemplo CCS2 Arquivo de entrada 2 dim. –Ver na apostíla.
PISCES Simula dispositivos Entrada: descrição da estrutura física e polarização do dispositivo. Resolve as equações básicas de semicondutores: Poisson e Continuidade.
Resultados: Distribuição de potencial elétrico Distribuição de campo elétrico Dsitribuição de densidade de portadores Distribuição de densidades de correntes de portadores Corrente total pelos terminais do dispositivos
Exemplo PISCES - CCS Arquivo de entrada: ver apostíla Obtem-se os seguintes resultados abaixo: –corrente Ids x Vgs, para Vds = 2V –distribuição de potencial elétrico –distribuição de densidade de elétrons –distribuição de densidade de corrente de elétrons.
Como corrigir a anomalia? Aumentar a dopagem abaixo do canal. Obtem-se os seguintes resultados abaixo: –distribuição de potencial elétrico –distribuição de densidade de elétrons –distribuição de densidade de corrente de elétrons.