Si O

NÍVEL DE INTEGRAÇÃO NÍVEL DE INTEGRAÇÃO DISPOSITIVOS/CHIP SSI 2 a 50 MSI 150 a 5.000 LSI 5.000 a 100.000 VLSI 100.000 a 10.000.000 ULSI 10.000.000 a 1.000.000.000 SLSI acima de 1.000.000.000

ALGUNS PROBLEMAS COM CONTAMINAÇÃO DEGRADAÇÃO DO DESEMPENHO - QUALIDADE DO ÓXIDO DE PORTA - TEMPO DE VIDA DOS PORTADORES DE CARGA FONTE DRENO “METAL” PORTA ÓXIDO DE PORTA Contaminantes atuam como armadilhas, degradando tempo de vida e mobilidade no canal Contaminantes atuam como armadilhas ou cargas no óxido TRANSISTOR MOS

DEGRADAÇÃO DA CONFIABILIDADE - RUPTURA DO ÓXIDO DE CAMPO - CONTATO RUIM FONTE DRENO “METAL” PORTA ÓXIDO DE PORTA Contaminantes atuam como “pontos fracos”, degradando a rigidez dielétrica do óxido de porta

DEGRADAÇÃO DO RENDIMENTO - UM ÚNICO DEFEITO PODE ARRUINAR TODO UM CIRCUITO Defeito fatal no circuito

- PARTÍCULAS

DEPENDE DA SUPERFÍCIE DA AMOSTRA C) JATO DE NITROGÊNIO  MAIS ADEQUADO  MAIS DIFÍCIL  PODE CONTAMINAR COM METAIS DA PINÇA MELHOR LIMPEZA? DEPENDE DA SUPERFÍCIE DA AMOSTRA

Fonte:FiberSystems International Vol.3 N.1 pg.29 February 2002

Base Mundial de Computadores Milhões de Usuários 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 2000 8 bits Uso pessoal 8/16 bits 16 bits 16bits 32 bits 64 bits APPLE PC PC XT PC AT 386 PS 486 Power PC 601 686 Alpha MIPS 10000 Pentium-pro Power PC620 100 600 300 200 500 400 1100 1000 900 800 700 1500 1300 1400 1200 .....................2005 ....................2010 128 bits Micros a serem desenvolvidos Micros multi-núcleos de 64 a 256 bits

Capacidade de Integração em Microeletrônica e Relógios Número de Componentes 1E+0 0 1E+02 1E+01 1E+03 1E+05 1E+04 1E+06 1E+08 1E+07 1E+09 1E+11 1E+10 1E+12 1E+13 1 Terabit RAM P 625MHz 100M com 64G RAM 16G RAM P 500MHz 50M. 4G RAM 1G RAM Proc. with 25M comp. 400 MHZ clock 64M RAM 2000 MHz clock 16M RAM 50 MHz clock 1M RAM 64K RAM Proc. 32 bits – 10MHz 16K RAM Proc. – 1MHz clock 1Kbit 1sr calculator , 1st Proc. MSI – 100K Hz clock 1960 1965 1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010 2015 2020 Ano

Redução de dimensões e tamanhos das pastilhas de silício Dimensões mínimas adotadas na pastilha para os dispositivos eletrônicos 0.35m 0.035m Figura 3. Projeção a longo prazo da tendência de redução das dimensões dos dispositivos eletrônicos, contidos numa pastilha de silício associada com a tendência de aumento de área física dessas pastilhas para os próximos 70 anos