Eletrônica II Germano Maioli Penello Aula 01

Eletrônica I Pré-requisito BJT e FET – circuitos de polarização

Compreender o funcionamento dinâmico dos FETs e bipolares. Objetivos

Compreender o funcionamento dinâmico dos FETs e bipolares. Objetivos Término do curso Efetuar projetos de amplificadores de vários estágios com estes componentes.

Programa Análise do BJT e do FET em AC Estudo de suas características e limitações Resposta em alta e baixa frequência Tipos de amplificadores: Bootstrap e cascode Amplificadores de vários estágios Resposta em alta e baixa frequência

Critérios de aprovação P1, P2. Mp = (P1 + P2)/2 Mp >= 7.0, APROVADO Np = 0.7 x Mp x Nexp P3. Mf = (Np + P3)/2 Mf >= 5, APROVADO No caso de falta justificada em uma das provas P1 ou P2, o aluno poderá realizar uma segunda chamada. No caso de falta de duas provas, o aluno será reprovado. Presença será cobrada e reprovação por falta é automática!

Bibliografia Microelectronic circuits Sedra, Adel S. and Smith, Kenneth Carless – Oxford university press

Bibliografia Microelectronic circuits Sedra, Adel S. and Smith, Kenneth Carless – Oxford university press Cronograma No site:

Device Fabrication PNP or NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) FET Amplifier Circuits with BJT or MOSFET … Aplicativos

Transistors (Bipolar) NPN Transistor (Bipolar) PNP Transistor (Bipolar) Switch Emitter Follower Common-Emitter Amplifier Unity-Gain Phase Splitter Schmitt Trigger Current Source Current Source Ramp Current Mirror … MOSFETs n-MOSFET p-MOSFET Switch Source Follower Current Source Current Ramp Current Mirror Common-Source Amplifier …

Aplicativos

Site do curso Aulas (powerpoint, pdf) Informações gerais do curso Critério de aprovação Bibliografia adicional Links para as referências, applets, … Calendário (aulas, provas, feriados) Material de leitura adicional Listas de exercícios

MOSFET

Dispositivo de 3 terminais Amplificação de sinal Lógica digital Memória Largamente utilizado no design de CI

MOSFET Opera em baixa potência Dispositivo de 3 terminais Amplificação de sinal Lógica digital Memória Largamente utilizado no design de CI Fabricado em dimensões reduzidas Utilizado em projetos de VLSI (microprocessadores atuais)

Fabricação do MOSFET

Operação do MOSFET

Operação do MOSFET Canal só é criado quando V gs > V t V gs < V t - Região de corte (i D = 0) (V ov < V gs – V t ) V ds < V ov (Região Triodo) V ds < V ov (Região de saturação) Observe essas regiões no aplicativo do slide anterior

Característica de transferência de tensão (VTC) Q - ponto quiescente

Característica de transferência de tensão (VTC) Q - ponto quiescente

Ganho de tensão de sinal pequeno

Operação de sinal pequeno Na saturação, i D  V ov 2 ou i D  (V GS - V t ) 2

Modelo de circuito equivalente para sinais pequenos Fonte de corrente controlada por tensão

Amplificadores MOSFET

BJT

BJT

BJT

Região ativa e de saturação Transistor npn com corrente I E constante. Atenção! Saturação em BJT é completamente diferente do MOSFET. A região de saturação do MOSFET corresponde à região ativa do BJT.

Região ativa

Amplificador de tensão

Amplificação linear Ponto quiescente

Amplificação linear