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Informação Geral sobre o Simulador HSPICE Disciplina de Eletrônica Digital – ECA (4453F-02) Prof. Dr. Fabian Vargas.

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1 Informação Geral sobre o Simulador HSPICE Disciplina de Eletrônica Digital – ECA (4453F-02) Prof. Dr. Fabian Vargas

2 Netlist SPICE vista 3D e layout Gate Source Dreno W L Substrato P - N+N+ N+N+ Gate Source Dreno SiO 2

3 Netlist SPICE Gate SourceDreno W L 1/2 Ld xj tox Parâmetros geométricos do dreno/source

4 Netlist SPICE Gate Perímetro Área Capacitâncias do dreno/source a b

5 Netlist SPICE L W CGSO CGDO CGBO Capacitâncias do gate

6 Exemplo (1) de Netlist Spice o1 vdd i M2 * inversor.MODEL nmos nmos level=2 vto=.82 uo= MODEL pmos pmos level=2 vto=-1.4 uo= M1 o1 i vdd vdd pmos l=1e-06 w=2e-06 M2 o1 i 0 0 nmos l=1e-06 w=2e-06 vcc vdd 0 dc 5 vin1 i 0 pulse ( N 0.1N 10N 20N).tran 0.5N 80N *.dc vin1 0 5.options post nomod nopage.print tran v(i) v(o1) C1 o fF.END M1 vin1 drain gate source bulk Vmin Vmax delay Rise-Time Fall-Time Time-High Period

7 Exemplo (2) de Netlist Spice

8 Netlist Spice – Modelos dos transistores.MODEL nmos nmos level=2 vto=.82 gamma=.76 +tox=2e-08 nsub=2.5e+16 xj=2.5e-07 +ld=1.25e-07 uo=690 ucrit=35000 uexp=0.35 +vmax=70800 cj=350u cjsw=450p cgdo=310p +cgso=310p.MODEL pmos pmos level=2 vto=-1.4 gamma=.76 +tox=2e-08 nsub=2.5e+16 xj=4.5e-07 +ld=4.7e-08 uo=231 ucrit=71000 uexp=.35 +vmax= cj=540u cjsw=760p cgdo=300p +cgso=300p

9 .MODEL nmos M1 modelo NMOS designado como M1 level=2 nível de modelagem vto=.82 tensão de threshold (V) gamma=.76 threshold do substrato (V 0.5 ) tox=2e-08 espessura do óxido (m) nsub=2.5e+16 dopagem do dreno/source (1/cm 3 ) xj=2.5e-07 profundidade do canal (m) ld=1.25e-07 tolerância na largura do canal (m) uo=690 mobilidade do portadores (cm 2 /V.s) ucrit=35000 uexp=0.35 vmax=70800 limite do campo elétrico cj=350u cjsw=450p cgdo=310p cgso=310p capas. transistor Netlist Spice – Modelos dos transistores

10 Comparação entre diferentes tecnologias Netlist Spice – Modelos dos transistores


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