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PublicouVictor Tome Alterado mais de 10 anos atrás
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Bismuth quantum-wire arrays fabricated by a vacuum melting and pressure injection process
Nome: Fabricio Guivares Saggioro Professor: Lucas Autores da pubicação original: Zhibo Zhang; Jackie Y. Ying; Mildred S. Dresselhaus.
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Formação de Nanofio de Bi.
FIG. 1. Diagrama esquemático do processo de fabricação do nanofio matriz composta: (a) um modelo tão preparado da parte anódica porosa de alumina, (b) a injecção de pressão de metal fundido nos canais de vácuo do molde poroso, e (c) o metal cheia de película compósita, que pode ser usado em aplicações práticas.
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FIG. 2. Imagem TEM da secção transversal da alumina anódica molde com um diâmetro de canal médio de 56 nm após a moagem ion
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FIG. 3. (a) micrografia em SEM dos nanofios de Bi expostas após a matriz de alumina ter sido parcialmente dissolvida a partir do lado inferior da película. (b, c) imagens de TEM dos nanofios independentes de BI. São mostrados Nanofios Bi preparados a partir de modelos com diâmetros médios de canal De (a, b) 23 nm e (c) 56 nm.
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FIG. 5. A temperatura ambiente espectros de absorção óptica do Bi nanowire / alumina anódica películas compósitas, com diâmetros médios de fio de (a) 56 nm, (b) 23 nm, e (c) 13 nm, e o correspondente ao modelos de alumina não preenchidas anódicas (d), (e) e (f).
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