Administração Sistemas Informáticos I

Apresentação em tema: "Administração Sistemas Informáticos I"— Transcrição da apresentação:

1 Administração Sistemas Informáticos I
Memória RAM Grupo 1 4º Ano Turma: C

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Memória RAM (Random Access Memory) Memória de acesso aleatório é utilizado para armazenar dados e programas que estão a ser usados em tempo de execução. Vantagens: Velocidade; Flexibilidade. Desvantagens: Volatilidade.

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Formatos de memória Descontinuados: DIP (Dual Inline Package), soldados na placa PCB SIPP (Single Inline Pine Package), mais fácil de manipular SIMM (Single Inline Memory Module), existem os de 30 vias e de 72 vias RIMM (Rambus Inline Memory Module), é um formato proprietário de suporte à tecnologia RDRAM Actuais DIMM (Dual Inline Memory Module), existem 3 tipos: 168, 184 e 240 vias SODIMM (Small Outine DIMM), são usadas nos portáteis

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Tecnologias de memória RAM: DRAM – Dynamic Random Acess Memory É uma tecnologia de memória em que os chips estão organizados numa matriz de células de memória. Cada célula serve para armazenar bits que podem ser extraídos indicando a sua linha e coluna (direcção). Existem 4 tecnologias derivadas da DRAM: FPM - Fast Page Mode; EDO - Extended Data Out; SDRAM - Synchronous DRAM; RDRAM - Rambus DRAM.

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FPM – uma tecnologia de rápido acesso aos dados que estão na mesma linha de memória, esta foi a primeira tecnologia a aparecer e no entanto ainda se pode encontrar nos módulos DIMM 168 vias e SODIMM. EDO – evolução da FPM, em que a leitura dos dados foi optimizada, permitindo um ganho de 10 a 20% em relação ao desempenho do sistema. SDRAM – permite que as memórias sejam sincronizadas com o processador, evitando que o processador espere pelos dados. RDRAM – Tecnologia inovadora, extremamente rápida e com taxas de transferência elevadas, mas como é uma tecnologia proprietária os fabricantes de placas mãe deixaram de suportar esta tecnologia.

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Tecnologias actuais: DDR-SDRAM (Double Data Rate SDRAM) Transferem dados duas vezes em cada ciclo de relógio, na subida e na descida do sinal. DDR II-SDRAM Transferem dados quatro vezes em cada ciclo de relógio, dois impulsos duplos em cada ciclo.

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Desempenho das diferentes tecnologias, com velocidades de memória idênticas

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Outras tecnologias relacionadas com a RAM Verificação de erros: Paridade – analisa os bits de memória através da contagem de número de bits a um, detectando possíveis erros mas, no entanto, não os consegue corrigir. ECC (Error Correction and Control) – detecta e corrige os erros de memória automaticamente, só os consegue corrigir caso o erro seja apenas de um bit. Caso contrário apenas informa o processador que houve um erro. Chipkill – método semelhante ao ECC, é mais eficaz do que o anterior porque fornece uma correcção de erros até quatro bits.

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Aumento de desempenho de Memória CAS (Column Address Strobe) Latency É o tempo de espera entre o pedido do processador e a resposta da memória. O funcionamento do CAS baseia-se com é lida a informação da memória. Arquitectura “Single-Channel” e “Dual-Channel”

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Futuro das RAM Em relação às memórias XDR (Extreme Data Rate) da Rambus preve-se que a sua velocidade dobre até 2006, graças à tecnologia ODR (Octal Data Rate). As memórias XDR já enfrentam dificuldades com a concorrência, DDR II e a MRAM.