Oficina de Microfabricação: Projeto e Construção de CI´s MOS

Temas Seminários: CAD Conceitos de Semicondutores Teoria de Dispositivos Conceitos de Processos de Fabricação Projeto de Processo e Dispositivo Projeto de CI´s Microssistemas CAD Simulação de Processos e Dispositivos

Temas - cont. Laboratório de Fabricação Etapas de Processos Integração de Processo nMOS e pMOS. Medidas de caracterização de processo Visitas a laboratórios: CCS, LPD e ITI Laboratório de Medidas Elétricas: Chip didático da U. de Edinburg Chip didático CCS fabricado.

Instrutures Seminários: Prof. Doi - CCS Prof. Jacobus - CCS Dr. Diniz - CCS Dr. Stanislav - CCS Dr. Moreira - LSI/USP Eng Emílio Bortolucci - CCS Dr. Luiz Otávio - LNLS

Instrutores - cont. Laboratório de Fabricação Medidas Elétricas CAD Prof. Doi Dr. Diniz Dra. Maria Beny Godoy Mara Regina Eudoxio Medidas Elétricas Dr. Diniz Dra. Maria Beny Rosana Leandro CAD Hugo Emílio Moreira

Apostila - Sumário . Evolução de Microeletrônica a Microssistemas . Conceitos Básicos para Semicondutores . Semicondutores . Capacitor MOS . Transistor MOSFET . Escalamento e Limites dos Dispositivos MOS . Integração de Processos: CMOS em Si . Estruturas de Dispositivos Semicondutores . Plasma Etching . Deposição de Filmes Finos . Conceitos de Vácuo .Projeto de Processos e Dispositivos

Apostila - Sumário - cont. .Microssistemas: Fabricação e Aplicações .Introdução à Tecnologia LIGA .Projeto de CI´s MOS. .Descrição do Processo MOS do CCS .Descrição do Chip Didático CCS2 .Descrição das Medidas dos Dispositivos .Elaboração de Relatório. .Enquête de Opinião.

Enquete de Opinião Dê uma nota de 0 a 10 em cada quadro abaixo. No item conteúdo, além da nota, acrescentar também um dos qualificativos: R (reduzido), A (apropriado) ou D (demasiado). Tema Instrutores Conteúdo Apresentação Rev. Semicondutores Jacobus Rev. MOS Diniz Modelo de oxidação Jacobus Integração processos Jacobus Difusão e implantaçãoJacobus Etching úmido e seco Stanislav Descrição SUPREM Emílio Descrição PISCES Emílioa Processos CVD Doi Cargas SiO2/Si Diniz Vácuo e Metalização Doi Projeto CI´s Moreira Programa Microeletr. Moreira Evolução de MicroeletJacobus Microssensores Luiz Ot’svio LIGA Luiz Otávio Lab. de Fabricação Vários Medidas físicas/proc. Mara LabSUPREM/PISCESHugo, Paula Lab. medidas CMOS Diniz, Beny Lab. medidas MOS Diniz, Beny Lab. projeto CI´s Moreira Visita ao LPD Beny e Stanislav Visita ao CTI Doi, outros Relatório Nota geral do curso Apresente comentários e sugestões: a) gerais sobre o curso, b) sobre os temas específicos.

Integração de Processos A) Processo nMOS e pMOS CCS/UNICAMP

Lâminas: Orientação (100) tipo: resistividade: Limpeza RCA completa. p para nMOS n para pMOS resistividade: 4 a 9 .cm para lâmina n 11 a 22 .cm para lâmina p Limpeza RCA completa.

Oxidação Inicial 1000 °C H2O + O2 3h Xox = 0.7 m

MOS Technology

Máscara CCS2

Máscara CCS2

Máscara CCS01

Sugestões e Avisos Não hesitem em fazer perguntas! Cuidado nos laboratórios: produtos químicos gases equipamentos sofisticados. Aproveitem bem o curso.