A apresentação está carregando. Por favor, espere

A apresentação está carregando. Por favor, espere

IMPACTOS DA PRESENÇA DE UMA CAMADA SEMICONDUTORA EM CABOS COBERTOS UTILIZADOS NAS REDES COMPACTAS Autores: Alan M. NóbregaUNIFEI Manuel L. B. MartinezUNIFEI.

Apresentações semelhantes


Apresentação em tema: "IMPACTOS DA PRESENÇA DE UMA CAMADA SEMICONDUTORA EM CABOS COBERTOS UTILIZADOS NAS REDES COMPACTAS Autores: Alan M. NóbregaUNIFEI Manuel L. B. MartinezUNIFEI."— Transcrição da apresentação:

1 IMPACTOS DA PRESENÇA DE UMA CAMADA SEMICONDUTORA EM CABOS COBERTOS UTILIZADOS NAS REDES COMPACTAS Autores: Alan M. NóbregaUNIFEI Manuel L. B. MartinezUNIFEI Credson de SallesUNIFEI Arimatéa A. NunesUNIFEI Aellfclêniton M. M. DinizUNIFEI Hermes R. P. M. de Oliveira AES Sul Juliana I. L. UchôaAES Sul Édson L. BatistaAES Sul

2 INTRODUÇÃO O trabalho apresenta a influência da presença de uma camada semicondutora em cabos cobertos utilizados em redes compactas; Os impactos verificados neste trabalho foram referentes as alterações no isolamento dos cabos e nos gradientes de campo elétrico; A ausência da blindagem provoca a concentração de campo elétrico próximo às superfícies mais externas dos condutores que compõem o cabo; Esta concentração aumenta o esforço elétrico aplicado na camada de cobertura do cabo;

3 A inserção da semicondutora deve ser acompanhada do aumento do diâmetro total do cabo, para manter o mesmo nível de isolação, bem como, manter o mesmo gradiente na superfície externa do cabo; Neste estudo são considerados os cabos produzidos, no Brasil, para trabalhar na classe 25 kV, pois, aparentemente, é este o projeto mais crítico no país. INTRODUÇÃO

4 Corrente de Fuga Um parâmetro que pode ser decisivo no sucesso ou na falha de um conjunto spacer cable, em operação ou submetido ao ensaio de compatibilidade dielétrica, é a corrente de fuga; Mesmo não existindo qualquer menção deste ensaio em normas brasileiras, foram realizadas medições em ensaios utilizando amostras de cabos de aproximadamente 1,20 metros; O ensaio foi realizado com o cabo guarda aterrado, e a energização das fases uma a uma com as demais flutuando;

5 Corrente de Fuga O procedimento foi tomado para as condições a seco e sob chuva, com a água apresentando valores de condutividade de 68, 250, 500 e 750 S/cm; A leitura de corrente de fuga foi realizada para cabos cobertos da classe de tensão 25 kV trabalhando com espaçadores, segundo a antiga normalização brasileira, classe 36,2 kV; Em outro procedimento, o cabo foi envolvido por uma fita metálica na largura do berço do espaçador, curto- circuitando o espaçador.

6 Corrente de Fuga Detalhe de como foi curto-circuitado o espaçador. Montagem do sistema de medição da correntes de fuga.

7 Corrente de Fuga Cabos Espaçador A Corrente [ A] Fase aFase bFase c Cabo A – 25 kV/50 mm Cabo A – 25 kV/50 mm 2 Com semicondutora Cabo A – 25 kV/95 mm Cabo A – 25 kV/95 mm 2 Com semicondutora Cabos Espaçador C Corrente [ A] Fase aFase bFase c Cabo A – 25 kV/50 mm Cabo A – 25 kV/50 mm 2 Com semicondutora Cabo A – 25 kV/95 mm Cabo A – 25 kV/95 mm 2 Com semicondutora Cabos Espaçador B Corrente [ A] Fase aFase bFase c Cabo A – 25 kV/50 mm Cabo A – 25 kV/50 mm 2 Com semicondutora Cabo A – 25 kV/95 mm Cabo A – 25 kV/95 mm 2 Com semicondutora Cabos Corrente [ A] Fase aFase bFase c Cabo A – 25 kV/50 mm Cabo A – 25 kV/50 mm 2 Com semicondutora Cabo A – 25 kV/95 mm Cabo A – 25 kV/95 mm 2 Com semicondutora

8 Cobertura dos Cabos Um detalhe que deve ser observado é que a adição da blindagem semicondutora, sem o aumento do diâmetro total do cabo pode implicar na redução da isolação do cabo.

9 Gradiente de Campo Elétrico A semicondutora uniformiza os gradientes de campo elétrico na cobertura do cabo, evitando a concentração de campo elétrico nas superfícies mais externas dos condutores de alumínio.

10 Gradiente de Campo Elétrico Com um plano terra a 30 cm o campo elétrico normal aumenta em 25%; A proporção entre os gradientes com, e sem, semicondutora se mantém as mesmas.

11 Gradiente de Campo Elétrico É verificado que inserindo a blindagem e aumentado a espessura da cobertura, consegue-se um caso ótimo do ponto de vista dos gradientes; É obtida a redução do valores de gradiente no interior da cobertura, mantendo o mesmo nível no exterior.

12 CONCLUSÃO O estudo mostrou que a falta de uma camada semicondutora no cabo implica um incremento, de aproximadamente 60%, no valor do campo elétrico normal no interior da cobertura; O caso pode ser agravado caso haja outro fator externo somado a esta falta; A inserção da blindagem no projeto do cabo deve ser estudada com maior nível de detalhamento, para seja mantido o mesmo nível de isolamento; O gradiente na superfície externa também deve ser mantido para que não favoreça o aparecimento de trilhamentos elétricos.

13 Obrigado Pela Atenção! Contato: Alan Melo Nóbrega


Carregar ppt "IMPACTOS DA PRESENÇA DE UMA CAMADA SEMICONDUTORA EM CABOS COBERTOS UTILIZADOS NAS REDES COMPACTAS Autores: Alan M. NóbregaUNIFEI Manuel L. B. MartinezUNIFEI."

Apresentações semelhantes


Anúncios Google