A apresentação está carregando. Por favor, espere

A apresentação está carregando. Por favor, espere

CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE ESPELHOS DE CORRENTE BASEADOS EM TRANSISTORES GC SOI MOSFET EM FUNÇÃO DA TEMPERATURA Aluno: Renato Silva Ferreira Orientador:

Apresentações semelhantes


Apresentação em tema: "CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE ESPELHOS DE CORRENTE BASEADOS EM TRANSISTORES GC SOI MOSFET EM FUNÇÃO DA TEMPERATURA Aluno: Renato Silva Ferreira Orientador:"— Transcrição da apresentação:

1 CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE ESPELHOS DE CORRENTE BASEADOS EM TRANSISTORES GC SOI MOSFET EM FUNÇÃO DA TEMPERATURA Aluno: Renato Silva Ferreira Orientador: Marcelo Antonio Pavanello EXAME DE QUALIFICAÇÃO Laboratório de Sistemas Integráveis Universidade de São Paulo Grupo SOI - CMOS

2 1 - OBJETIVO 2 - CONCEITOS BÁSICOS 3 - RESULTADOS SIMULADOS 4 - RESULTADOS EXPERIMENTAIS 5 - CONCLUSÃO 6 - PROPOSTA DE CONTINUAÇÃO SUMÁRIO

3 Este trabalho faz um estudo comparativo do comportamento de Espelhos de Corrente fabricados com transistores GC SOI MOSFET e SOI MOSFET Convencionais. Para tanto são estudados o descasamento, o desempenho do espelhamento e a resistência de saída destes Espelhos de Corrente. OBJETIVO

4 Perfil transversal de um transistor SOI MOSFET Convencional de canal n. Apresentando os eletrodos: de porta (V GF ) e substrato (V GB ), e as espessuras: da camada de silício (t Si ), do óxido de porta (t oxf ) e do óxido enterrado (t oxb ). São indicadas também as três interfaces de Si- SiO 2 da estrutura. CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional SOI MOSFET Convencional (V GF ) (V GB ) t oxf t Si t oxb 1ª Interface 2ª Interface 3ª Interface

5 Tipos de Transistores SOI MOSFET. SOI MOSFET de camada espessa: SOI MOSFET de camada espessa: Para o caso de t Si > 2.x dmax Parcialmente Depletado SOI MOSFET de camada fina: SOI MOSFET de camada fina: Para o caso de t Si < x dmax Totalmente Depletado SOI MOSFET de camada média: SOI MOSFET de camada média: Para o caso de x dmax < t Si < 2.x dmax CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional

6 Tensão de Limiar CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional Logo, para V GB,acc2 < V GB < V GB,inv2 (a situação em que a segunda interface está em depleção) :

7 CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional GC SOI MOSFET GC SOI MOSFET Perfil transversal de um transistor GC SOI MOSFET de canal n. Apresentando os eletrodos, as espessuras, as interfaces e o comprimento de máscara da porta (L) e a dopagem gradual da região do canal. L LD é o comprimento da região do canal com dopagem reduzida.

8 Aumento da Corrente de Dreno Aumento da Corrente de Dreno Aumento da Transcondutância Máxima Aumento da Transcondutância Máxima Reduzida Modulação do Comprimento de Canal Reduzida Modulação do Comprimento de Canal Reduzida Condutância de Saída Reduzida Condutância de Saída Aumento da Tensão Early Aumento da Tensão Early Aumento da Tensão de Ruptura de Dreno, que reduz o efeito bipolar parasitário da estrutura GC. Aumento da Tensão de Ruptura de Dreno, que reduz o efeito bipolar parasitário da estrutura GC. CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional SOI MOSFET Convencional GC SOI MOSFET Vantagens do GC SOI Vantagens do GC SOI

9 CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional GC SOI MOSFET Vantagens do GC SOI Efeito da Temperatura Efeito da Temperatura O aumento da temperatura afeta diretamente a concentração intrínseca de portadores, de acordo com a expressão: Assim, a elevação de n i com a temperatura reflete em uma diminuição do potencial de Fermi ( F ):

10 CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional GC SOI MOSFET Vantagens do GC SOI Efeito da Temperatura Um outro efeito decorrente do aumento de n i com a temperatura é a redução das profundidades de depleção da primeira e segunda interface Potencial de Fermi e Concentração Intrínseca

11 CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional GC SOI MOSFET Vantagens do GC SOI Efeito da Temperatura Ao elevar a temperatura em transistores SOI de camada fina totalmente depletado, ocorre a diminuição da máxima largura de depleção, desacoplando-a. Logo o transistor deixa de ser totalmente depletado acima dessa temperatura crítica T K. Colinge, J.P. Silicon-on-insulator technology: materials to VLSI, 2 nd Edition. Massachusetts: Kluwer Academic Publishers, Temperatura Crítica

12 CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional GC SOI MOSFET Vantagens do GC SOI Efeito da Temperatura Observa-se que para temperaturas abaixo de T K (241°C) os dispositivos GC SOI MOSFET não sofrem degradação significativa da tensão de limiar com o aumento da relação L LD /L. Galeti, M. Análise do funcionamento de dispositivos GC SOI MOSFET em altas temperatures. Dissertação (Mestrado) – Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. São Paulo – Brasil, Tensão de Limiar

13 CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional GC SOI MOSFET Vantagens do GC SOI Efeito da Temperatura Em um dispositivo SOI MOSFET totalmente depletado a variação da inclinação de sublimiar com a temperatura não é linear. Galeti, M.; Pavanello, M. A.; Martino, J. A. Behavior of graded-channel fully depleted SOI NMOSFET at high temperatures. Microeletronic Technology and Devices – SBMICRO, v , p , Inclinação de Sublimiar

14 CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional GC SOI MOSFET Vantagens do GC SOI Efeito da Temperatura Mobilidade Um modelo simples e clássico da mobilidade, que inclui o efeito da temperatura e as resistências de fonte e dreno: Com a elevação da temperatura temos a diminuição na mobilidade para baixo campo elétrico e um aumento da resistência série de fonte e dreno.

15 CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional GC SOI MOSFET Vantagens do GC SOI Efeito da Temperatura Mobilidade SOI MOSFET canal n ( ) e canal p ( ) Gentinne, B. A study of potencial of SOI technology for analog applications. Tese (Doutorado) – Laboratoire de Microélectronique Faculte dês Sciences Appliquées, Université Catholique de Louvain, Louvain-La-Neuve – Bélgica, Por mais que a resistência série aumente, a redução de 0 é predominante, levando uma redução do coeficiente R. Logo o termo ( + R ) diminui com o aumento da temperatura, atenuando a redução da mobilidade efetiva ( n )

16 CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional GC SOI MOSFET Vantagens do GC SOI Efeito da Temperatura Ponto Invariante com a Temperatura (ZTC) Existe um valor da tensão aplicada na porta (V GF ) para o qual a corrente de dreno (I DS ) não sofre variação com a temperatura, devido aos mecanismos de compensação entre o aumento da corrente de sublimiar e a redução da mobilidade com o aumento da temperatura. Este ponto (Zero Temperature Coeficient, ZTC) ocorre quando os transistores operam no regime de saturação.

17 CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional GC SOI MOSFET Vantagens do GC SOI Efeito da Temperatura Ponto Invariante com a Temperatura (ZTC) Galeti, M. Análise do funcionamento de dispositivos GC SOI MOSFET em altas temperatures. Dissertação (Mestrado) – Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. São Paulo – Brasil, 2003.

18 Espelhos de Corrente (Current Mirror, CM) são blocos analógicos utilizados para polarizar os diversos ramos de um circuito ou apresentar-se como carga ativa CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional GC SOI MOSFET Vantagens do GC SOI Efeito da Temperatura Espelho de Corrente Espelho de Corrente

19 A função do Espelho de Corrente consiste no fornecimento de uma corrente de saída (I DSout ), semelhante a corrente de entrada (I DSin ), para qualquer tensão aplicada no dreno (V DSout ) do transistor de saída (Q 2 ), contanto que as dimensões dos transistores de entrada e saída sejam idênticas, isto é, a razão P=I DSout /I DSin deve ser mais próximo possível da unidade CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional GC SOI MOSFET Vantagens do GC SOI Efeito da Temperatura Espelho de Corrente

20 Uma operação precisa de um Espelho de Corrente depende fortemente do descasamento do par de transistores utilizado. O descasamento pode ser analisado separando-o em descasamento causado por parâmetros tecnológicos e/ou por parâmetros geométricos. CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional GC SOI MOSFET Vantagens do GC SOI Efeito da Temperatura Espelho de Corrente Descasamento Descasamento

21 CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional GC SOI MOSFET Vantagens do GC SOI Efeito da Temperatura Espelho de Corrente Descasamento A diferença da razão de aspecto (W/L eff ) entre o transistor de entrada e saída, ocasionada por um desalinhamento de máscaras ou uma difusão lateral. Parâmetro Tecnológico Parâmetro Geométrico A corrente é proporcional à (V GF -V th1 ) 2 na saturação, qualquer variação de V th1 significará em alterações na corrente. Ocorre descasamento também por modulação do comprimento de canal ( ) devido à queda de tensão no dreno.

22 Esses três diferentes efeitos combinados são expressos por: CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional GC SOI MOSFET Vantagens do GC SOI Efeito da Temperatura Espelho de Corrente Descasamento Parâmetro TecnológicoParâmetro Geométrico

23 Para uma dada corrente de entrada, o Espelho de Corrente deve possibilitar o espelhamento sem distorção do sinal de entrada, com um intervalo máximo de amplitudes para a corrente de saída. Com isto, é possível diminuir as tensões de saída, garantindo ainda o comportamento do espelhamento da corrente de entrada na corrente de saída. CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional GC SOI MOSFET Vantagens do GC SOI Efeito da Temperatura Espelho de Corrente Descasamento Excursão de Saída Excursão de Saída

24 Um parâmetro tecnológico que melhor demonstra o comportamento da excursão de saída é a resistência de saída (R OUTPUT ), que pode ser expressa por: CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional GC SOI MOSFET Vantagens do GC SOI Efeito da Temperatura Espelho de Corrente Descasamento Excursão de Saída g Dout é a condutância de dreno do transistor da saída do Espelho de Corrente: Resistência de Saída

25 CONCEITOS BÁSICOS SOI MOSFET Convencional GC SOI MOSFET Vantagens do GC SOI Efeito da Temperatura Espelho de Corrente Descasamento Excursão de Saída V DS (GC SOI MOSFET) X V DS (Convencional) V DS (GC SOI MOSFET) X V DS (Convencional) Para o pior caso da excursão de saída dos transistores GC SOI, tem-se melhores resultados, do que o melhor caso da excursão de saída do SOI Convencional.

26 Foram utilizados os simuladores T-SUPREM4 e MEDICI. Do simulador TSUPREM-4 obtém-se o arquivo contendo o transistor individual, o qual é então convertido para o formato MEDICI. Em seguida, utilizando o módulo de circuitos do simulador MEDICI, é possível simular um circuito Espelho de Corrente. RESULTADOS SIMULADOS Características da Simulação Características da Simulação

27 Utilizou-se, para este estudo, Espelhos de Corrente fabricados com transistores SOI Convencionais de L=2 m e L=1 m., e transistores GC SOI de L=2 m com razões L LD /L de 0,1; 0,2; 0,3; 0,4; 0,5. RESULTADOS SIMULADOS Características da Simulação t Si =90nm; t oxf =30nm; t oxb =400nm; W=18 m; N ab = cm -3 ; N af = cm -3.

28 RESULTADOS SIMULADOS Características da Simulação Comprimento Efetivo de Canal

29 RESULTADOS SIMULADOS Características da Simulação Tensão de Limiar Tensão de Limiar A partir dos dados obtidos na tabela é possível observar o decréscimo da tensão de limiar com o aumento da temperatura, devido aumento da concentração intrínseca, que diminui o potencial de Fermi.

30 RESULTADOS SIMULADOS Características da Simulação Tensão de Limiar Efeito da Temperatura em I DSout Efeito da Temperatura em I DSout

31 RESULTADOS SIMULADOS Características da Simulação Tensão de Limiar Efeito da Temperatura em I DSout O dispositivo GC SOI com L LD /L=0,1 não apresenta a mesma tendência dos demais transistores GC SOI, devido uma má formação da região menos dopada. Ou ocorreu difusão lateral, após o processo de I.I. para ajuste da tensão de limiar. 300K

32 RESULTADOS SIMULADOS Características da Simulação Tensão de Limiar Efeito da Temperatura em I DSout A redução da corrente de dreno do transistor da saída do circuito Espelho de Corrente com o aumento da temperatura, devido principalmente ao efeito da temperatura sobre a mobilidade dos elétrons, que diminui ao elevar-se a temperatura O comportamento ruim da corrente de dreno do transistor de saída do Espelho de Corrente fabricado com SOI Convencional de L=1 m, ocorre devido aos efeitos de canal curto. 373K

33 RESULTADOS SIMULADOS Características da Simulação Tensão de Limiar Efeito da Temperatura em I DSout A mesma tendência de decréscimo da corrente de dreno com a elevação da temperatura é observada. 473K

34 RESULTADOS SIMULADOS Características da Simulação Tensão de Limiar Efeito da Temperatura em I DSout Tensão de Saturação Tensão de Saturação

35 RESULTADOS SIMULADOS Características da Simulação Tensão de Limiar Efeito da Temperatura em I DSout Tensão de Saturação O primeiro pico positivo define o início da saturação do transistor de saída, ou seja, V DSout igual à tensão de saturação do dreno (V DSsat ). O segundo pico, o negativo, define o início do efeito bipolar parasitário, portanto, onde V DSout é igual a tensão de ruptura de dreno na curva I Dsout x V DSout. Através da diferença de V DSout destes dois picos tem-se a variação da excursão de saída: V DS (Convencional) V DS (Convencional) SOI Convencional

36 RESULTADOS SIMULADOS Características da Simulação Tensão de Limiar Efeito da Temperatura em I DSout Tensão de Saturação O primeiro pico positivo refere-se à tensão de saturação da região do canal do transistor de saída GC SOI MOSFET mais dopada, definida como L HD. O segundo pico positivo refere-se à tensão de saturação da região do canal do transistor de saída GC SOI MOSFET menos dopada, também conhecida de L LD. O fim da excursão de saída é definida da mesma maneira do SOI Convencional, sendo onde se inicia o efeito bipolar parasitário, quando V DSout é igual a tensão de ruptura de dreno na curva I Dsout x V DSout. GC SOI MOSFET

37 Para obtenção da tensão Early foi utilizado o método de regressão linear da curva da corrente de dreno do transistor de saída do Espelho de Corrente (I DSout ) em função da tensão aplicada ao dreno do mesmo transistor no circuito (V DSout ), no intervalo de 0,75 V DSout 1,5V, variando-se a temperatura de 300K, 373K e 473K. RESULTADOS SIMULADOS Características da Simulação Tensão de Limiar Efeito da Temperatura em I DSout Tensão de Saturação Tensão Early do Tensão Early do Transistor de Saída Transistor de Saída

38 RESULTADOS SIMULADOS Características da Simulação Tensão de Limiar Efeito da Temperatura em I DSout Tensão de Saturação Tensão Early do Transistor de Saída Um ponto máximo para V EA, ocorre com L LD /L=0,4. Para valores superiores de L LD /L, a tensão Early tende a degradar-se nos transistores GC SOI, devido à redução do comprimento efetivo de canal. Nota-se que os transistores de saída do circuito não sofrem variação significativa na tensão Early com a temperatura, concordando com o mencionado na literatura. Nos dispositivos GC SOI, conforme se aumenta à relação L LD /L e conseqüentemente reduz-se o comprimento efetivo do canal, obtém- se uma elevação de V EA, devido à estrutura de canal gradual.

39 Embora, a tensão de saturação seja maior nos transistores de saída fabricados com GC SOI, principalmente ao se elevar o valor da razão L LD /L, a tensão de ruptura de dreno também é maior, fazendo com que V DSout torne-se maior nos Espelhos de Corrente utilizando GC SOI. RESULTADOS SIMULADOS Características da Simulação Tensão de Limiar Efeito da Temperatura em I DSout Tensão de Saturação Tensão Early do Transistor de Saída Excursão de Saída Excursão de Saída

40 RESULTADOS SIMULADOS Características da Simulação Tensão de Limiar Efeito da Temperatura em I DSout Tensão de Saturação Tensão Early do Transistor de Saída Excursão de Saída Observa-se que V DSout é sempre superior nos Espelhos de Corrente fabricados com GC SOI do que no Espelho de Corrente feitos com dispositivos SOI Convencionais. Para uma relação L LD /L de 0,2 obtém-se um valor de V DSout aproximadamente 50% superior em relação ao obtido com Espelhos de Corrente fabricados com SOI Convencionais, em temperatura ambiente. Em 473K esse valor é de aproximadamente de 20% entre o GC com L LD /L=0,2 e SOI Convencional de L=2 m, e cerca de 25% entre o GC com L LD /L=0,2 e SOI Convencional de L=1 m.

41 RESULTADOS SIMULADOS Características da Simulação Tensão de Limiar Efeito da Temperatura em I DSout Tensão de Saturação Tensão Early do Transistor de Saída Excursão de Saída Espelhos de Corrente Espelhos de Corrente Polarizados no ZTC Polarizados no ZTC

42 RESULTADOS SIMULADOS Características da Simulação Tensão de Limiar Efeito da Temperatura em I DSout Tensão de Saturação Tensão Early do Transistor de Saída Excursão de Saída Espelhos de Corrente Polarizados no ZTC Pode-se notar que Espelhos de Corrente fabricados com GC SOI aproximam-se mais da unidade do que os feitos com SOI convencional. A melhor precisão de espelhamento nos GC SOI estão relacionadas ao maior valor de tensão Early, e a uma maior variação da excursão de saída, devido ao aumento da tensão de ruptura de dreno nos transistores GC SOI. Os Espelhos de Corrente GC SOI com razões L LD /L entre 0,20 e 0,30 apresentam o melhor desempenho. Parte 1

43 RESULTADOS SIMULADOS Características da Simulação Tensão de Limiar Efeito da Temperatura em I DSout Tensão de Saturação Tensão Early do Transistor de Saída Excursão de Saída Espelhos de Corrente Polarizados no ZTC Os Espelhos de Corrente GC SOI com razões L LD /L entre 0,20 e 0,30 apresentam o melhor desempenho. Parte 2

44 O desempenho da precisão dos Espelhos de Corrente é avaliada fixando-se V DSout em 1,5V e variando-se V DSin na faixa entre 0V e 3V. Em 300K e 473K. RESULTADOS SIMULADOS Características da Simulação Tensão de Limiar Efeito da Temperatura em I DSout Tensão de Saturação Tensão Early do Transistor de Saída Excursão de Saída Espelhos de Corrente Polarizados no ZTC Desempenho em Desempenho em Altas Temperaturas Altas Temperaturas

45 RESULTADOS SIMULADOS Características da Simulação Tensão de Limiar Efeito da Temperatura em I DSout Tensão de Saturação Tensão Early do Transistor de Saída Excursão de Saída Espelhos de Corrente Polarizados no ZTC Desempenho em Altas Temperaturas Nota-se que os Espelhos de Corrente fabricados com GC SOI apresentam melhores resultados entre as razões L LD /L de 0,2 e 0,3. Concordando com as figuras anteriores. 300K

46 RESULTADOS SIMULADOS Características da Simulação Tensão de Limiar Efeito da Temperatura em I DSout Tensão de Saturação Tensão Early do Transistor de Saída Excursão de Saída Espelhos de Corrente Polarizados no ZTC Desempenho em Altas Temperaturas Nota-se que os Espelhos de Corrente fabricados com GC SOI apresentam melhores resultados entre as razões L LD /L de 0,2 e 0,3. Mesmo em alta temperatura. Concordando com as figuras anteriores. 473K

47 Foi utilizado Espelhos de Corrente fabricados no Laboratório de Microeletrônica da Universidade Católica de Louvain (UCL). Para as medidas experimentais foi utilizado o analisador de parâmetros do semicondutor HP4156C.E para controlar a temperatura na câmera de vácuo foi utilizado o sistema K-20. RESULTADOS EXPERIMENTAIS Características Experimentais Características Experimentais

48 Com o intuito de explorar as capacidades o transistor em Espelhos de Corrente foi utilizado transistores SOI Convencionais e GC SOI com 2 m e 4 m de comprimento de canal. Como característica principal, o processo SOI utilizado possui: RESULTADOS EXPERIMENTAIS Características Experimentais t Si =80nm; t oxf =30nm; t oxb =390nm; W=18 m; N ab = cm -3 ; N af = cm -3.

49 RESULTADOS EXPERIMENTAIS Desempenho em Altas Temperaturas Desempenho em Altas Temperaturas Características Experimentais

50 RESULTADOS EXPERIMENTAIS Características Experimentais Desempenho em Altas Temperaturas Todos os espelhos de corrente utilizando dispositivos GC SOI MOSFET apresentaram melhores resultados nas características de saída, isto é, P 300K mais próximo da unidade. Os CM GC SOI são melhores independentemente do comprimento de máscara do canal (L), devido à extrema redução da condutância de saída, e por conseqüência a elevada tensão Early 300K

51 RESULTADOS EXPERIMENTAIS Características Experimentais Desempenho em Altas Temperaturas Os Espelhos de Corrente utilizando dispositivos GC SOI MOSFET de L=4 m apresentaram melhores desempenhos do que os fabricados com SOI MOSFET Convencionais. Nota-se a elevação da corrente de difusão quando a razão L LD /L é aumentada. Considerando todos os transistores com mesmo L, o desempenho do Espelho de Corrente com transistor GC SOI de L LD /L=0,22 é superior ao com L LD /L=0,46 Os transistores GC SOI são superiores ao implementado com dispositivos SOI Convencionais Nota-se uma faixa mais adequada de razões L LD /L para obter-se um melhor desempenho. 473K

52 RESULTADOS EXPERIMENTAIS Características Experimentais Desempenho em Altas Temperaturas Resistência de Saída Resistência de Saída

53 RESULTADOS EXPERIMENTAIS Características Experimentais Desempenho em Altas Temperaturas Resistência de Saída A resistência de saída é maior em Espelhos de Corrente utilizando dispositivos GC SOI MOSFET do que os dispositivos usando SOI MOSFET Convencionais, em qualquer uma das regiões operacionais. 300K

54 RESULTADOS EXPERIMENTAIS Características Experimentais Desempenho em Altas Temperaturas Resistência de Saída Os Espelhos de Corrente utilizando dispositivos GC SOI e SOI Convencionais com L=2 m, e os SOI Convencionais com L=4 m, começam a apresentar deficiência nas características de saída… …nos regimes de inversão fraca e moderada, devido ao aumento da corrente de difusão. Os demais Espelhos de Corrente com L=4 m apresentam uma menor incidência da degradação… …com a temperatura no regime de inversão fraca. A estrutura de canal gradual mostra-se eficiente em reduzir os efeitos da temperatura sobre a perda de desempenho do circuito. 423K

55 RESULTADOS EXPERIMENTAIS Características Experimentais Desempenho em Altas Temperaturas Resistência de Saída Para o mesmo L (L=4 m) a uma melhora do espelho de corrente utilizando GC em relação ao SOI Convencional, é nitidamente apresentada com cerca de duas ordens de grandeza maior… … da resistência de saída na inversão fraca e uma ordem de grandeza na inversão moderada. 473K

56 Os resultados das simulações indicaram uma faixa de razões L LD /L (de 0,2 a 0,4), que apresentam melhoras significativas na excursão de saída e na precisão do espelhamento, principalmente operando no ponto invariante com a temperatura. CONCLUSÃO

57 CONCLUSÃO Os resultados experimentais evidenciam um comportamento melhor de Espelhos de Corrente fabricados com dispositivos GC SOI ao elevar-se à temperatura, pois o descasamento tecnológico é amenizado por causa da elevada tensão Early, que reduz o efeito da modulação do comprimento de canal.

58 CONCLUSÃO A resistência de saída nos transistores GC SOI não sofrem variação significativa ao elevar-se à temperatura. O Espelho de Corrente implementado com GC SOI MOSFET é um excelente candidato para construir blocos analógicos operando em altas temperaturas, especialmente para aplicações low- power e low-voltage.

59 Um aprimoramento da análise da excursão de saída será feito, juntamente com o estudo mais aprofundado do comportamento dos Espelhos de Corrente polarizados no ZTC. Propõem-se novas medidas para evidenciar os efeitos dos parâmetros tecnológicos (tensão de limiar e modulação do comprimento de canal) no descasamento e simulações com os Espelhos de Corrente sendo polarizados na inversão fraca em função da temperatura. PROPOSTA DE CONTINUAÇÃO


Carregar ppt "CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DE ESPELHOS DE CORRENTE BASEADOS EM TRANSISTORES GC SOI MOSFET EM FUNÇÃO DA TEMPERATURA Aluno: Renato Silva Ferreira Orientador:"

Apresentações semelhantes


Anúncios Google